第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开,详见后文
8月3日,微导纳米披露最新调研纪要称,公司半导体 ALD 设备的应用场景均代表国内半导体各细分领域的工艺多元化发展方向,在逻辑芯片、存储芯片、新型显示芯片、化合物半导体领域均有设备订单,并逐步推动在客户端验证或验收。
公司基于客户关键工艺开发的战略需求推出的 iTronix® 系列 CVD 设备,是微导纳米基于客户关键工艺开发的战略需求,自主研制的新产品系列;适用于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等多种薄膜的沉积工艺,可广泛应用于逻辑、存储、先进封装、显示器件以及化合物半导体等领域芯片制造。
在半导体领域内,微导纳米是国内首家成功将量产型 High-k 原子层沉积(ALD)设备应用于 28nm 节点集成电路制造前道生产线的国产设备厂商,已与国内多家厂商建立了深度合作关系,相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等诸多细分应用领域,多项设备关键指标达到先进水平。
微导纳米称,公司作为国内薄膜沉积设备供应商,可以根据下游企业的实际需求,针对客户的工艺和薄膜性能需求快速响应,及时满足客户产线需求。公司技术服务体系健全,为客户提供及时的驻厂技术服务支持,及时到达现场排查故障、解决问题,保证快速响应客户的需求,缩短新产品导入的工艺磨合时间。
在订单方面,微导纳米表示,目前公司在手订单充裕,为满足快速增长的订单交付需要,公司通过在供应链、生产制造、内部管理方面的多举措优化提升保障产品按期交付,缩短交期,保障交付。
其指出,随着摩尔定律不断演化,集成电路的特征尺寸及刻蚀沟槽不断微缩,晶圆制造复杂度和工序量大幅度提升,ALD 等先进真空薄膜技术在半导体设备国产化进程中扮演越来越重要的角色。终端应用需求增长、进口替代和自主可控等因素驱动了国内晶圆厂逆周期扩产和工艺迭代升级,加速了国内半导体行业头部客户对国产 ALD 设备的产业化验证。
作为国内领先的半导体薄膜沉积设备供应商,微导纳米将持续加速半导体领域内各细分领域的产品研发、产业验证和应用,实现多项薄膜沉积和处理技术国产化、产业化的突破,在保持 ALD 产品市场竞争力和占有率的同时,不断推出更多具备竞争力的例如 CVD 等薄膜沉积系列产品。
来源:集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料,在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点;碳中和与新能源体系变革的背景下,在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测,到2026年,碳化硅产品市场将达35亿美元,氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来,国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目,全产业链项目约26个,国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场,受益于特斯拉的应用需求,意法半导体领先全球市场;Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集,是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业,8英寸衬底正在探索商业化量产,其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速,国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景,最新衬底、外延、器件技术与项目投资,碳化硅、氮化镓长晶技术,净化工程与EPC,新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展:氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察(重点企业或园区)
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