第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文
据常山发布消息，8月3日，在常山县2023年三季度重大项目“三集中”仪式后，浙江大和半导体产业园三期建设项目竣工仪式举行，标志着常山正式成为全球半导体装备核心零部件重要制造生产基地。
常山发布消息称，浙江大和半导体产业园三期建设项目由浙江盾源聚芯半导体科技有限公司和浙江富乐德半导体材料科技有限公司投资建设，总投资近20亿元。
浙江盾源聚芯半导体科技有限公司将导入高纯硅部件项目。而浙江富乐德半导体材料科技有限公司将导入高纯氧化铝及化学气相沉积碳化硅产品生产线，氧化铝产品具备优异的耐高温、抗氧化、耐腐蚀、耐磨耗、高导热、高绝缘性等特点，被广泛运用于半导体、LED液晶显示、激光、医疗设备等高精尖领域。
项目全部满产后，浙江大和半导体产业园将成为年产值近50亿元，集高纯石英部件、精密半导体金属部件、热电半导体制冷器件、高纯硅部件、化学气相沉积碳化硅，精密半导体陶瓷产品的生产、研发、销售为一体的全球半导体装备核心零部件重要制造生产基地。
来源：全球半导体观察
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（重点企业或园区）
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