第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文
7月28日，粤芯半导体官微消息显示，粤芯半导体新建12英寸集成电路模拟特色工艺生产线项目（三期）主厂房顺利封顶。三期项目将进入洁净室和动力安装建设阶段，预计明年年初工艺设备搬入。
粤芯半导体表示，三期项目从开工至今，进场建设工人高达2500余人，土方处理量约16万立方米，完成26万立方米砼浇筑，实现210万总安全工时。工程总建筑面积约82万平方米，除主厂房外，还包括动力厂房、柴发机房、废水处理站、大宗气站等区域。
据介绍，三期项目在一、二期项目的基础上，持续瞄准工业电子和汽车电子领域，在已有技术平台基础上重点聚焦工艺平台质量规格的精进；紧握粤港澳大湾区产业终端优势，深度与国内工业芯片终端用户和汽车终端厂家及一级供应商合作，给客户提供更优、更高品质的产品。粤芯半导体将继续加快推动总投资162.5亿元的三期项目建设，力争在2024年全面建成并完成投产。
来源：集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（重点企业或园区）
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中国大陆半导体大硅片项目表（月度更新）
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中国大陆上月半导体前道设备进口数据表（月度更新）
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