近期，英飞凌推出采用 TO263-7 封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。该款碳化硅 (SiC) MOSFET 具有高功率密度和效率，可实现双向充电，并显著降低车载充电 (OBC) 和 DC-DC 应用的系统成本。与第一代产品相比，1200 V CoolSiC 系列产品开关损耗降低了 25%，具有同类最佳的开关性能。开关行为的改进可实现高频开关，从而缩小系统尺寸并提高功率密度。由于开通阈值电压（VGS(th)）大于4V且Crss/Ciss比率极低，因此在VGS = 0 V时可实现可靠的关断，而且没有寄生导通的风险。这使得单电源驱动成为可能，从而降低了系统成本和复杂性。另外，新一代产品具有低导通电阻（R DS(on)），减少了-55℃至175℃温度范围内的导通损耗。 先进的扩散焊接芯片贴装工艺（.XT技术）显著改善了封装的热性能，相比第一代产品，SiC MOSFET的结温降低了25%。此外，这款MOSFET的爬电距离为5.89 mm，符合800 V系统要求并减少了喷涂三防漆类工作量。为满足不同应用的需求，英飞凌提供R DS(on)不同的一系列产品，包括目前市场上唯一采用TO263-7封装的9 mΩ产品。科世达在其 OBC 平台中使用 CoolSiC MOSFETKOSTAL Automobil Elektrik在为中国OEM厂商提供的新一代OBC平台中采用了英飞凌最新的CoolSiC MOSFET。科世达是一家全球领先的汽车充电系统供应商，通过其标准化平台方案为全球提供安全、可靠和高效的产品，可满足各OEM厂商的要求及全球法规。英飞凌汽车高压芯片和分立器件产品线副总裁Robert Hermann表示：“低碳化是这十年的主要挑战，也是我们与客户一起推动汽车电气化进程的巨大动力。因此，我们十分高兴能与科世达合作。这个项目突出了凭借领先的SiC技术，我们的标准产品组合在车载充电市场中的强大地位。”科世达亚洲副总裁兼技术执行经理Shen Jianyu表示：“英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽栅MOSFET额定电压高、鲁棒性优异，是我们未来一代OBC平台的关键部件。这些优势有助于创造一个兼容的设计，以管理我们最先进的技术解决方案，实现成本优化和大规模市场交付。”
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