5-7月，8英寸SiC动作频频，全球各大厂商都在积极布局，加速推动8英寸SiC的开发量产进程。
今天，“行家说三代半”就为大家盘点一下近期的13个8吋SiC的“大事件”。
新添2个8吋SiC厂：
三安＋意法、绍兴
5-6月，国内新增了2个8吋SiC厂。
● 三安＋意法：投228亿建8吋SiC厂
6月7日，意法半导体和三安光电宣布，双方已签署协议，将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。
该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元（约228.2亿人民币），其中未来5年的资本支出约为24亿美元，资金来源包括意法半导体和三安光电的资金投入、重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。
签约当天，该工厂还举行了奠基仪式；而7月4日，三安宣布已获得了重庆方面100亿元注资。
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● 绍兴：新签一个8吋SiC产线项目
据浙江媒体“柯桥发布”消息，5月31日上午，2023年绍兴市柯桥区举行了第二批重大招商项目集中签约仪式。
现场共有28个项目集中签约，计划总投资近600亿元，其中涉及一个8英寸碳化硅项目。
天岳先进、科友半导体：
2项8吋技术获突破
6月末，天岳先进和科友半导体实现2项技术突破，分别为8吋液相法技术，以及8英寸SiC单晶量产关键技术。
● 天岳先进：8吋SiC液相法获重大突破
6月29日，天岳先进携8英寸碳化硅衬底最新技术动态亮相Semicon China展会，他们表示，通过自主扩径技术制备的高品质8英寸产品，目前已经具备产业化能力。
据悉，他们采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创。
● 科友半导体：实现8吋SiC量产技术突破
6月22日，科友半导体宣布，他们实现了8英寸SiC单晶的量产关键技术突破，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本及装备稳定性等方面取得可喜成绩。
据”行家说三代半“此前报道，2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通，并进入中试线生产。目前，他们的8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上，有望成为我国大尺寸低成本碳化硅规模化量产制造技术的领跑者。
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4起8吋SiC订单：
总额超160亿元
5-7月，行业内出现了4桩8吋碳化硅衬底和外延订单：
● 瀚天天成：8吋外延获14亿订单
7月6日，瀚天天成宣布，他们在上周签署了多项长期合约，其中包括价值超过1.92亿美元（约13.91亿人民币）的8英寸SiC长期合约。
据“行家说三代半”此前报道，瀚天天成在前段时间，率先实现了8英寸碳化硅外延工艺的技术突破，拥有了国产8英寸SiC外延片的量产能力。
据瀚天天成介绍，瀚天天成2023年在手订单已达35万片，全球占比高达43.7% 及32.7%。瀚天天成签订的2023年度订单超过了原全球龙头企业年产能的3倍多。
● 瑞萨电子＋Wolfspeed：6吋/8吋SiC订单定金达145亿元
7月5日，瑞萨电子宣布与Wolfspeed签署了一份为期10年的碳化硅晶圆供应协议。
根据协议，瑞萨已向Wolfspeed支付了20亿美元（约144.9亿人民币）的定金，以确保6英寸/8英寸SiC晶圆的供应，并支持Wolfspeed的美国产能扩张计划。
Wolfspeed将在2025年向瑞萨提供6英寸碳化硅衬底和外延片；此外，Wolfspeed位于北卡罗来纳州的查塔姆工厂全面运作后，将向瑞萨提供8英寸碳化硅衬底和外延片。
此外，Wolfspeed在同日宣布，他们的美国莫霍克谷8英寸SiC器件制造厂已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅 MOSFET。
● 中电化合物：8吋SiC即将交付韩国Power Master
近日，中电化合物董事潘尧波在南沙某论坛上表示，今年8月份，他们第一批8英寸碳化硅外延片将会向客户交货。
6月19日，中电化合物与韩国Power Master公司签署了关于SiC的战略合作协议。根据协议，前者将向后者供应包括8英寸SiC材料在内的半导体产品。
● 三菱电机＋Coherent：共同扩建8吋SiC
5月26日，三菱电机官网宣布，他们已与Coherent（前 II-VI ）达成合作，双方将共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。
据悉，Coherent将为三菱电机未来在新工厂生产的SiC功率器件供应8英寸n型4H SiC衬底。三菱电机于今年3月中旬宣布建设新的8英寸SiC晶圆厂，该工厂将建在日本熊本县，主要用于生产8英寸SiC晶圆。
天成、乾晶：
成功研发出8吋SiC单晶
5-6月，国内又新增2家8吋SiC单晶企业：
● 天成半导体：8吋SiC单晶技术获突破
6月22日，“行家说三代半”在调研中了解到，山西天成半导体实现了8吋SiC单晶技术研发突破。
天成半导体透露，他们这次开发出的8吋SiC单晶直径达到202mm，各项参数指标良好。
● 乾晶半导体：采用电阻法研制8吋SiC
5月12日，浙江大学科创中心-乾晶半导体联合实验室已成功研制出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底片。
值得一提的是，该SiC单晶突破依托的是PVT多段式电阻加热策略。
48所、晶盛、高测：
发布3款8吋SiC设备
6-7月，3家国内企业在8英寸SiC设备上取得进一步突破：
● 中国电科48所：发布8吋SiC外延设备
6月29日，中国电科48所宣布，他们自主研制的8吋SiC外延设备首次亮相，并且已经完成首轮工艺验证。
该设备指标取得了关键性突破，8英寸生长厚度均匀性＜1.5%，掺杂浓度均匀性＜4%，表面致命缺陷＜0.4个/cm²，这些技术指标的突破，标志着48所已成功掌握8吋SiC外延设备相关技术。
● 晶盛机电：成功研发8吋外延设备
6月27日，晶盛机电宣布，他们已成功研发出8英寸单片式碳化硅外延生长设备。
据悉，该设备产出的8吋外延片的厚度均匀性在1.5%以内，掺杂均匀性4%以内，已达到行业领先水平。
● 高测股份：8吋SiC切片机形成销售
7月4日，高测股份宣布，他们已推出了新一代8英寸碳化硅切片机，目前该设备已经形成销售。
据介绍，该产品是一款使用金刚线切割碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6吋、8吋，最大加工长度300mm，实现多锭同时切割；综合切割成本降低30%以上。
高测透露，该公司的碳化硅切割设备上市不到一年，已销售的设备总年产能已超54万片，今年累计订单达30台。
注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。
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