7月3日中国商务部公告显示，根据《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国务院批准，决定对镓、锗相关物项实施出口管制。根据公告，镓相关物项包括金属镓、氮化镓、氧化镓等8项，锗相关物项包括金属锗、区熔锗锭、磷锗锌等6项。公告显示，该出口管制将于8月1日生效。
（一）镓相关物项。
1.金属镓（单质）（参考海关商品编号：8110929010、8112929090、8112999000）。
2.氮化镓（包括但不限于晶片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2850001901、3818009001、3825690001）。
3.氧化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2825909001、3818009002、3825690002）。
4.磷化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片等形态）（参考海关商品编号：2853904030、3818009003、3825690003）。
5.砷化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2853909026、3818009004、3825690004）。
6.铟镓砷（参考海关商品编号：2853909028、3818009005、3825690005）。
7.硒化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2842909024、3818009006、3825690006）。
8.锑化镓（包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2853909029、3818009007、3825690007）。
（二）锗相关物项。
1.金属锗（单质，包括但不限于晶体、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：8112921010、8112921090、8112991000）。
2.区熔锗锭（参考海关商品编号：8112921090）。
3.磷锗锌（包括但不限于晶体、粉末、碎料等形态）（参考海关商品编号：2853904040、3818009008、3825690008）。
4.锗外延生长衬底（参考海关商品编号：8112921090）。
5.二氧化锗（参考海关商品编号：2825600002、3818009009、3825690009）。
6.四氯化锗（参考海关商品编号：2827399001、3818009010、3825690010）。
中国地质科学院矿产资源研究所2020年发布的一份报告显示，早在第二次世界大战期间，镓就被认为是一种战略性和关键金属。
目前，镓的世界总储量约为23万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的80%-85%。
其中，被列入出口管制中的砷化镓是第二代半导体材料的代表，在高频、高速、高温及抗辐照等微电子器件研制中占有主要地位；半绝缘砷化镓材料主要用于雷达、卫星电视广播、微波及毫米波通信、无线通信（以手机为代表）及光纤通信等领域；作为典型的第三代半导体材料的氮化镓，是目前世界上最先进的半导体材料，是新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件。
从国家产量来看，中国占全球镓产量的比重最高。截止2021年，中国在全球镓产量的占比已超过90%。
而根据美国地质调查局(USGS)的数据，全球已探明的锗资源储量达8600吨，储量第一的是美国，达到3870吨，占全球储量的45%；中国的锗储量为3500吨，占全球的41%，位居第二。
锗Ge是最早被应用于半导体的材料，1947年，世界上第一只晶体管就是Ge材料。室温Eg=0.66eV。1961年诞生的第一块集成电路也是Ge材料。直到1965年Si材料性能超越Ge，成为主流半导体材料。也因此Ge/Si被成为第一代半导体。
GaAs和InP是20世纪七十年代引入，主要满足超高速、微波大功率器件和集成电路的需求。到1997年InP集成电路才实现产品化。
20世纪末期，第三代半导体取得重大发展，GaN和SiC。
InP具有略高的击穿电场强度和电子饱和速度，所有其微波功率特性较好。在 大工作频率100GHz以上，有很好的性能，尤其在高速和低功耗模数混合集成电路方面有很大优势。
20世纪90年代为满足无线通信、雷达等应用对高频率、宽带宽、高效率、大功率器件的需求，开始研究Eg大于2eV的宽禁带半导体。因此SiC、GaN、GaO材料具有明显优势。
本次出口管制，有点反击美国团伙的意味，这些原材料出口到国外，可以用到光电子芯片、功率器件、光伏产品上，也会反向再高价卖给中国，因此中国的这些材料充当了别人国家的奶牛，回头人家还说这个牛有点傻。反过来，中国也希望国内的本土企业在第三代、第四代半导体上能发力超过欧美日本等国家，真正的把材料做成高科技的器件产品，实现芯片粮食到面包的转变。
