6月21日，国内半导体前道制程量测设备公司优睿谱宣布，公司的碳化硅自动光学位错微管检测设备SICD系列交付客户。
作为重要的宽禁带半导体材料，碳化硅具有高临界击穿场强、高热导率、高电子饱和漂移速率等优点，用其制造的高温大功率器件，具有优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点。
在碳化硅衬底上生长同质外延时，衬底中的位错缺陷会向外延层延伸和转化，导致外延层中出现大量扩展型缺陷。对不同类型的位错和微管缺陷密度和分布进行检测，是碳化硅衬底制造中非常重要的步骤和环节。
目前，碳化硅衬底片位错缺陷检测通常在腐蚀后进行位错检测，目前市场上的位错微管检测设备检测速度极慢，检测整片晶圆往往需要数小时，在实际生产中，往往是选择性地测量晶圆部分区域的位错缺陷密度，而非对整个晶圆进行检测，无法实现晶圆的整体位错分布的检测，也无法与碳化硅衬底片自动化生产系统相匹配。
SICD200检测碳化硅衬底晶圆位错缺陷
优睿谱的SICD系列设备具有四大显著优势：一是实现了对整片衬底的全面积扫描和检测。二是检测成像具备高分辨率，大幅提升检测准确度。三是在实现整片检测和高分辨率下，检测效率提升了数十倍，10分钟即可完成整片检测，并自动输出检测报告。四是SICD系列设备将腐蚀片位错缺陷检测和衬底片高分辨率微管缺陷检测集成在同一款设备上，这使得客户可以更有效地在生产线上使用设备。
SICD200检测碳化硅衬底晶圆微管缺陷
“优睿谱的SICD系列设备使用高分辨率实时对焦高速扫描成像技术，并采用深度学习算法(AI)，有效提高缺陷检测的准确度和速度，有助于改善碳化硅制造工艺和生产质量控制。” 优睿谱总经理唐德明博士表示。
SICD系列设备分为手动上下片的半自动检测设备SICD200s、自动上下片的全自动检测设备SICD200，后者可对接碳化硅衬底片厂的MES系统，实现工厂自动化生产。
优睿谱碳化硅自动光学位错微管检测设备SICD
此前，优睿谱已推出FTIR设备Eos200Lite用于碳化硅外延片外延层厚度及均匀性测量，已实现批量出货且获得多家头部客户订单。优睿谱SICT200设备已交付客户，用于碳化硅衬底晶圆平整度测量，如晶圆厚度/翘曲/BOW等参数的测量。
优睿谱成立于2021年，由长期从事于半导体行业的海归博士领衔，协同国内资深的半导体前道制程量测设备技术团队共同发起成立，致力于打造高品质的半导体前道量测设备。
优睿谱秉持“实事求是、务实高效”的精神，致力于打造高品质的半导体前道量测设备，在深厚的技术积累基础上实现技术创新，助力中国半导体前道量测设备自主可控。
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