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芯三代半导体科技（苏州）有限公司投资公司德观资本在官微宣布芯三代完成C轮投资。其他参与本轮投资的还有江苏省产业技术研究院、浑璞投资和海通证券等旗下基金。该轮融资已成为芯三代在本年度内完成的第四轮融资。
碳化硅外延市场扩产 “火热”
在碳化硅晶体生长和晶片加工过程中，会不可避免地在表面或近表面引入缺陷，导致衬底的体材料质量和表面质量都不够好，直接用其制得器件的性能较差。外延层的生长可以消除许多缺陷，使晶格排列整齐，表面形貌较衬底大为改观。这样的外延片用于制造功率器件，可以极大提高器件的参数稳定性和良率。
外延工艺是整个碳化硅产业中的非常关键的一环，所有的器件基本上都是在外延上实现，所以外延的质量对器件的性能是影响非常大，同时外延的质量又受到晶体和衬底加工的影响，所以外延环节在碳化硅产业链中承上启下，对产业发展起到非常关键的作用。
受益于碳化硅下游市场需求逐步放大，国内多个碳化硅外延项目发布了扩产和新建开工的计划：
水平单片/多片机台与垂直机台之争
(a)热壁水平卧式；(b) 温壁行星式；(c) 准热壁立式
热壁水平式CVD系统：一般为气浮驱动旋转的单片大尺寸生长系统 ，易 实 现 较 好 的 片 内 指 标 ，代表性机型为意大利LPE公司的Pe1O6，该机台可以实 现 900℃ 高 温 自 动 装 取 片 ，主 要 特 点 是 生 长 速 率 高 、外延周期短 、片内及炉次间一致性好等 ，在国内市场占有率最高。
8英寸机台推出进度之争
碳化硅降本势在必行，相比于6英寸，8英寸碳化硅晶圆的边缘损耗更小、可利用面积更大，未来通过产量和规模效益的提升，成本有望降低60%以上。8英寸的碳化硅衬底和外延材料量产已呼之欲出，配套设备推进的进度决定了8英寸材料的量产时间，所以今年来，各大设备公司推出8英寸相关的信息频繁出现。
国内市场，日前，晶盛机电发布消息称公司已成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备。
据悉，该8英寸单片式碳化硅外延设备可兼容6、8寸碳化硅外延生产，在6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺气体精确分流控制等技术基础上，解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等控制难题，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。目前，在子公司晶瑞的8英寸衬底基础上，已实现8英寸单片式碳化硅外延生长设备的自主研发与调试，外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内，已达到行业领先水平。
工艺结果
8英寸外延片
那些新入局的“玩家”
长城旗下精工自动化将建SiC外延设备项目
碳化硅外延厂房改造设计项目位于保定市徐水经济技术开发区，建筑面积约5633m²，主要改造包括生产厂房内办公区、洁净间、液氮、液氩气站、氢气站、特气间、尾气处理间、危化品库、纯水间、消防等。据调研，该公司此前为汽车零部件制造公司，本次产线改造后将建成碳化硅外延设备制造产线。
「中科汇珠」粤升子公司成功研发碳化硅外延设备
今年5月消息，粤升公司自主研发的4/6吋SiC外延设备，已无故障连续稳定运行近300小时，生长的4/6吋SiC外延片质量均达到国际先进水平，满足MOSFET和SBD器件的制备要求。粤升SiC外延设备的成功研制，意味着国产SiC外延设备又添新的主力军。
汉印机电新增碳化硅外延设备和外延项目
5月22日，盐城市盐都区人民政府报道提到，汉印机电2022年投资了10亿元，启动汉印半导体装备项目，新上40台（套）第三代半导体碳外延设备，可年产20万片碳化硅外延片。汉印机电与中科院半导体所、清华大学化工学院等多家高校深入产学研合作，开展了产业化的SiC设备开发等一系列规划。
由上文梳理，可以发现碳化硅外延厂商在产业扩张的大形势下均在大幅提升产能。碳化硅外延设备环节市场“蛋糕”不断增大，随着新入局的玩家增多，机台结构逐步优化，在生长速率，COO成本、设备稳定性、维护便利性和可靠性等方面稳步提升，以及大尺寸设备的开发推进，国产替代步伐加快，碳化硅外延环节的降本指日可待！
我们和业内人士的调研中，行业人士指出，新一轮碳化硅外延投扩产产生的设备采购需求红利或将持续1-3年。这意味着在未来3年内碳化硅外延设备需求将持续增长，设备企业将迎来增长机遇。但企业需要在这一轮周期中，锻造大规模交付能力、强大的创新研发能力、优秀的成本管控能力，才有可能进入主流市场。
素材来源：芯路说《SiC外延设备炉不同设计浅谈》、晶盛机电官微、芯三代官微
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