当将钡放入混合物中时，它会在堆叠的氧化铪薄膜之间形成垂直“桥”。由于这些钡桥具有高度结构，电子可以轻松地穿过它们。在桥与器件触点相交的点处会产生能量势垒，并且可以控制该势垒的高度，从而改变整个材料的电阻。这反过来又是对数据进行编码的。
Hellenbrand 说：“这允许材料中存在多种状态，这与只有两种状态的传统存储器不同。” “这些材料真正令人兴奋的是它们可以像大脑中的突触一样工作：它们可以在同一个地方存储和处理信息，就像我们的大脑一样，这使得它们在快速发展的人工智能和机器学习领域非常有前途。”
研究人员表示，他们的设备使用通过钡桥连接的氧化铪薄膜，具有一些优势，可以帮助其走向商业化。一方面，这些结构可以在相对较低的温度下自组装，这比许多其他结构所需的高温制造更容易。此外，这些材料已经广泛应用于计算机芯片行业，因此应该更容易将它们纳入现有的制造技术中。对这些材料的可行性研究将使科学家能够研究它们在更大范围内的工作效果。
该研究发表在《Science Advances.》杂志上。
论文链接：https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.adg1946
