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防反接电路一般用于电源入口处，在电源反接时，保证电源入口之后的电路不会受到损害。一般在电源电流较小、对1V左右的压降不敏感时可以使用二极管进行防反接。防反接的形式有直接在正极串联二极管（如图1），或使用整流桥的方式（如图2），但这两种方式均存在：1、存在二极管的管压降；2、过大电流时，二极管消耗的功率大，发热严重。这两个问题。
基于NMOS的防反接电路如图3所示，注意以下几点：- NMOS的漏极D接输入电源负极，NMOS的源极S接板内电源负极；
当电源正接时，上电初期，Vs=Vg=Vin，由于NMOS寄生二极管的存在，NMOS的漏极与源极导通，Vs=Vd+0.7V，而Vd=GND，故Vs=0.7V左右，Vgs=Vin-Vd6，选型合理的话，Vgs>Vth，故NMOS导通。导通后，设通过电流为I，NMOS的导通阻抗为Rds(on)，则板内地平面与输入电源平面之间存在的压降为△V=I*Rds(on)。故使用NMOS进行防反接时需要关注由于导通阻抗带来的回流问题。
电源正接时仿真原理图如图4所示，仿真波形如图5所示，从图中可以看出，电源上电后，NMOS即导通，但NMOS上存在0.9V左右的压降（Rds(on)≈0.25ohm）。
电源反接时仿真电路如图6所示，仿真波形如图7所示，从图中可以看出，反接后，板内电路中没有电流流过，电路不接通。
需注意的是：NMOS的VDS应当满足最高反向电压的电压要求，否则寄生二极管可能被击穿。当希望板内电源的负极与电源入口的负极直接接通时，可以使用PMOS防反接电路，电路图如图8所示，由于寄生二极管的存在，当电源正接时，Vs=Vd-0.7V，此时D7被击穿，故Vgs
电源正接时仿真原理图及波形分别如图9、10所示，从图中可以看出，正接时电源上电瞬间PMOS正常接通，但由于Rds(on)的分压，导致板内电源电压相比入口电压有所降低，降低幅度为Rds(on)*I。
当电源反接时，电路原理图及仿真波形分别如图11、12所示，从图中可以看出，反接后没有电流流过，即电路未接通。
- PMOS的VDS应当满足最高反向电压的电压要求，否则寄生二极管可能被击穿；
- PMOS的Rds(on)带来的压降会导致电源电压降低，降低幅度是否可以满足要求。
无论是使用PMOS还是NMOS，均需注意大功率时MOS上的发热问题。版权声明：本文为CSDN博主「剑侠蜀山」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：https://blog.csdn.net/qq_42682826/article/details/103395531
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