力科|电力电子应用如何选择合适探头？

功率转换器将输入能量的属性值（如幅度、频率、相位）转化为期望输出的其他值。在现代工业中，对各种功率转换器的性能要求在容量、电压等级、效率和尺寸（与开关频率相关的问题）方面越来越严格。

为了提高现有功率转换器的性能，用宽禁带 (WBG) 开关器件代替传统的硅开关器件，氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）和碳化硅（SIC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前最常用的宽禁带（WBG）半导体材料。宽禁带半导体材料具有比硅材料更优越的特性。

宽禁带半导体的优点使得GaN HEMT在低功率（<1 kW）到中功率（<10 kW）应用中得到了更多的采用，SiC MOSFET更适用于中功率（<10kW）到高功率（>10 kW）的应用。

目前，GaN HEMT的优点尚未得到充分利用，因为GaN和衬底之间的热阻较大，会导致自热问题，可能导致开关器件过热。然而，GaN HEMT可以提供更高的效率和开关速度，SiC MOSFET提供更高的电压、电流和温度特性。

使用宽禁带半导体开关器件的主要挑战是克服其高转换率带来的潜在问题，这可能会恶化电磁干扰（EMI）水平，并可能导致电压振荡和不稳定。

可以确定的是，随示波器一起交付的标准无源探头不适用于一般功率分析。这种应用需要一个更具体的解决方案，这个解决方案是根据您希望采用的探测技术以及要测试的功率器件类型来定义的。

确定功率转换探测需要的最佳探头的一个简单方法是：首先，确定您是在进行功率器件研究还是系统开发。

探头的选择取决于：

■ 半桥的上管还是下管的测量

■ 电压范围

  –汽车：48 V

  –电源：>100 V

■ 开关频率/上升时间

  –SiC或GaN

半桥的上管–不参考地的电压

半桥的下管–相对于地的电压

02-测量下管Vds信号

03-测量上管Vgs信号

04-测量上管Vds信号

T3AWG3352提供一个PWM输入，电路板可以工作到2 MHz。使用DL10-ISO探头测量上管栅极，而使用DL10-HCM探头测量下管栅极。总线电压也由T3PS3000提供，但电压限制到40 V，输出电流波形由CP30A电流探头测量。

• 带宽：350 MHz, 700 MHz 和 1GHz

• 输入电压：2 V 到 2500 V

• 共模电压：60 kV

• 160 dB CMRR

• 1.5% 的系统增益精度

• 上升时间：435ps

• 无需断开也可自动归零

• 灵活的连接方式

力科高压光隔离探头主要应用：

服务器、主板、照明和楼宇自动化、住宅逆变器、UPS、开关电源、家用和商用电器中的电机等

力科（Teledyne Lecroy）是高端示波器、协议分析仪和其他测试仪器的领先制造商，可快速全面地验证电子系统的性能和合规性，并进行复杂的调试分析。