ESD保护器件主要有4大类，TVS二极管、压敏电阻、积层贴片电容器（MLCC）、ESD抑制器，各个器件的应用场景也不太一样。
下图中，放电模型是8kV、150pF/330Ω、接触放电。Vpeak和Vave（Vave指的是30-100ns之间的平均电压）越小，代表静电吸收能力越强，Vpeak和Vave和横坐标构成的图形面积越小，代表静电能力越强。
图a，没有保护器件时，Vpeak最大到1500V，然后缓慢下降，Vave也达到400V。
图b，对ESD抑制器来说，Vave可抑制在29V，因为触发电压的关系，Vpeak只能抑制在500V左右。
图c，100nF的MLCC可能Vpeak抑制在23V左右，但因为电容内部注入过多的ESD电荷，几百纳秒后又发生大的电压峰值。
图d，TVS二极管的Vpeak和Vave都比较低。
图e，压敏电阻和TVS二极管差不多，Vpeak和Vave都比较低，静电吸收能力强，因为压敏电阻内部带有电容量成分，在Vpeak抑制上比TVS更有力。
下图，带有100pF电容量的压敏电阻和100pF的MLCC，压敏电阻的ESD性能比MLCC好得多，压敏电阻除了电容的作用外，还有本身压敏电阻的作用。
1、对于MLCC，MLCC主要是靠电容量冲入ESD放电电流，电容量越大，ESD性能越好；高速信号中，电容大又会引起信号失真，电容量小ESD效果不佳，所以一般MLCC用在电源上或者是低速信号上。
2、对于TVS，抗ESD性能不错，TVS一般是最常见也是最常用的抗ESD器件。TVS的极间电容可选择性大，小到1pF以下，大的到50-100pF，所以一般在高速，电源或者是低速电路中都可以使用，高速信号中选择极间电容小的TVS，比如USB信号上选择小于1pF的TVS，电源和低速信号，可以选择极间电容稍大的TVS，比如几十pF。
3、对于ESD抑制器，内部电容量一般都是1pF以下，因为ESD抑制器的超低电容量，所以ESD抑制器的Vave特性比TVS好，Vpeak特性比TVS差。
4、对于压敏电阻来说，价格比TVS低不少，抗ESD性能比TVS差。压敏电阻1pF以下电容较少，所以高速信号上使用会受限，因为内部电容量成分，一般压敏电阻的Vpeak特性比TVS好一点。
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