全球晶圆代工龙头台积电不但已开始开发 2 奈米制程，拉大了与竞争对手的差距，而且台积电最近也开始准备为 Apple 和 NVIDIA 开始试产 2 奈米产品。另外，为了开发 2 奈米制程技术，台积电将派遣约 1,000 名研发人员前往位在竹科，目前正在建设中的 Fab 20 晶圆厂工作。
外媒 Patently apple 报导指出，三星电子于 2022 年 6 月采用 GAA 技术开始量产 3 奈米制成芯片，比台积电提前 6 个月，成为全球首家量产该制程技术的企业。而受到三星先发制人的冲击，台积电高层多次公开 2 奈米制程技术的发展计划，形成先进制程发展竞赛。
除了台积电之外，先前宣布计划在 2021 年重新进入晶圆代工业务的处理器大厂英特尔 (intel) 也加入了先进制程研发竞赛。这家美国半导体大厂在当地时间 6 月 1 日的在线活动中公布了其芯片背面电源解决方案 PowerVia 的技术发展、测试数据和路线图，开始扩大其在晶圆代工产业的影响力。据报导，当前的台积电还在开发芯片背面供电的技术，目标是到 2026 年使用该技术。
此外，英特尔设定了一个目标，就是在 2024 年下半年将其代工技术推进到 1.8 奈米的节点。3 月，该公司制定了一项计划，就是藉由与 ARM 建立合作伙伴关系，达成 1.8 奈米制程技术的量产。不过，市场人士也存在一些不确定看法，认为即使英特尔按照路线图取得成功，但最终要达到收支平衡，对公司来说仍是一个很大的挑战。
报导还说明了台积电另一竞争对手三星的情况，就是三星 DS 部门总裁 Kyung Kye-hyun 于 5 月初的一次演讲中表示，三星计划超越台积电，目标就是从比台积电更早使用 GAA 技术的 2 奈米制程开始。
事实上，台积电除了先进制程之外，也透过先进封装技术来维持技术的领先。不久前，台积电就宣布先进封测六厂启用正式启用，成为台积电首家达成前后端制程 3DFabric 整合一体化自动化先进封测厂和测试服务工厂。同时，也为 TSMC-SoIC （系统整合芯片）制程技术的量产做准备。先进封测六厂的启用，将使台积电对 SoIC、InFO、CoWoS、先进测试等各项 TSMC 3DFabric 先进封装与硅堆栈技术，拥有更完整及灵活的产能规划之外，也带来更高的生产良率与效能协同效应。
台积电营运／先进封装技术暨服务、质量暨可靠性副总经理何军表示，微芯片堆栈是提升芯片效能与成本效益的关键技术，因应强劲的三度集成电路 (3DIC) 市场需求，台积电已完成先进封装及硅堆栈技术产能的提前部署，透过 3DFabric 平台提供技术领先与满足客户需求产能，共同实现跨时代科技创新，成为客户长期信赖的重要伙伴。
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