英特尔在第一个开场的Technology组报告中，介绍 了背面供电网络技术（PowerVia）的信息。英特尔认为这是公司重回正轨的证据，从而为英特尔提供了超越公司急需的竞争优势的机会。
三星发表了“全球首个采用新型 MBCFET 技术的 GAA 3nm 工艺（SF3）”，据称，SF3 相较 4nm FinFET 平台实现了 22% 频率提升、34% 能效改进、21% 面积微缩（PPA） 。
东京电子（TEL）宣布，其等离子体蚀刻系统的开发和制造基地已经开发出一种创新的通孔蚀刻技术，可以用于堆叠超过400层的先进3D NAND Flash闪存芯片。开发团队的新工艺首次将电介质蚀刻应用带入低温范围，从而打造了一个具有极高蚀刻率的系统。该技术不仅能在短短33分钟内完成10微米深度的高纵横比蚀刻，缩减了耗时，而且蚀刻结构的几何形状相当明显，也有助于制造更高容量的3D NAND闪存芯片。
当然来自中国的vivo第一次参加VLSI 2023会议，在先进图像传感器技术分会场中， 罗轶博士分享了全新的自适应DCG-HDR(双转换增益高动态范围)技术，引起了业界的广泛关注。
根据来自大会现场的数据，本次大会共收到投稿632篇，录用212篇论文；其中Technology投稿273篇，录用89篇；Circuits 收到投稿359篇投稿，录用123篇。本次会议收到20篇Late News，Technology组有9篇，未录用；Circuits组有11篇，录用1篇。另外还有12篇受邀报告。
(感谢东南大学司鑫教授提供的现场照片)
由于大会论文Program中，除了Circuits和Technology外，还有CFS、TFS和JFS，为便于统计，现将CFS计入Circuits，TFS和JFS计入Technology(如有不当，请了解情况的老师批评指正)。以下所有数据都按第一作者所在单位进行统计。
2023年，Circuits论文录用超过3篇的机构有韩国科学技术院(9篇)、三星(7篇)、新加坡国立大学(6篇)、密歇根大学(5篇)、代尔夫特理工大学(4篇)、东京工业大学(4篇)、浦项工业大学(4篇)、清华大学(4篇)、台积电(4篇)、台湾大学(4篇)、联发科(3篇)、苏黎世联邦理工学院(3篇)、索尼(3篇) 、英特尔(3篇)。
根据对第一作者所在单位的统计，合计Technology和Circuits论文，论文录用超过5篇的机构有新加坡国立大学(16篇)、三星(15篇)、韩国科学技术院(13篇)、imec(11篇)、台积电(9篇)、台湾大学(8篇)、浦项工业大学(6篇) 、英特尔(6篇)、东京工业大学(5篇)、密歇根大学(5篇)、清华大学(5篇)、索尼(5篇)。
根据对第一作者所在单位的统计，从产业界来看，共有23家公司63篇，前五名是韩国三星15篇，台积电9篇，英特尔6篇，索尼5篇，SK海力士4篇。
根据对第一作者所在单位的统计，从研究机构来看，共有7家机构20篇，imec以11篇居第一；中科院微电子所2篇与日本两机构并列第二；中科院半导体所有1篇。
台积电、三星和imec都拥有最先进的设施和优秀的研发人员，并正在推动与世界各地半导体相关合作伙伴的联合研究，论文录用数量位居前列不奇怪。
根据对第一作者所在单位的统计，从高校来看，共有47所高校130篇，新加坡国立大学以16篇排名第一，韩国KAIST以13篇排名第二，台湾大学8篇第三，浦项工业大学6篇排第四，清华大学、密歇根大学、东京工业大学各以5篇并列第五。
但令人惊讶的是，新加坡国立大学(16篇)、韩国科学技术院(13篇)作为大学，2023年何以能录用如此多的论文？
2023年新加坡国立大学论文总录用数量16篇，Technology和Circuits论文录用数量都位居前三，论文总录用数量不但力压三星、台积电、imec等强手。
新加坡国立大学(NUS)2014年才1篇入选，2015年0篇，2016年1篇，但自2020年以来，新加坡国立大学的录用论文数一直在保持增长，到2022年Technology达到8篇，力压台积电（7篇）和三星（4篇），仅次于imec；到2023年Technology达到10篇，再次力压三星（8篇）和台积电（5篇）, 且与imec并列第一；而2023年Circuits论文也以6篇位居第三。
用灌水恐怕不足以解释新加坡国立大学的高产！
三星、韩国科学技术院、浦项工业大学和SK海士力等韩国机构录用论文总数排名靠前，分别以15篇、13篇、6篇、4篇位居第二、第三、第七、第十三名。但是韩国成立较早的三所大学首尔大学、高丽大学、延世大学，却总共只有3篇入选。
日本虽然东京工业大学和索尼各有5篇入选，铠侠有3篇入选；但日本机构主要偏于Circuits论文，共有8篇入选。
2023年中国内地共有15篇入选，分属北京大学、复旦大学、华东师范大学、南方科技大学、清华大学、中国科技大学、中国科学院半导体所、中国科学院微电子所、VIVO、西安紫光国芯等10家机构，其中清华大学5篇，中国科学院微电子所2篇，其他机构各1篇。
相比较IEDM和ISSCC两大会议的论文情况，中国内地在VLSI会议上的论文发表数少得可怜。根据主委会的数据，中国内地投稿数数量为130篇，仅次于韩国的131篇。其中Technology级投稿57篇，入选5篇，接收率只有8.8%；Circuits组投稿73篇，接收10篇，接收率13.7%。
究其原因，VLSI分Technology（器件）和Tircuit（电路），分别仅次于IEDM（器件）和ISSCC（电路）。而且VLSI的会议时间点非常尴尬，位于IEDM和ISSCC的中间时段，国内各大机构都在卷IEDM和ISSCC，所以留给VLSI的论文稿质量就可想而知了。
