RA6快速设计指南[6]复位要求和复位电路(上)

共有十四种类型的复位。这些复位在Arm^® Cortex-M4器件和Arm^® Cortex-M33器件之间略有不同。

表11. Arm^® Cortex-M4器件复位

表12. Arm^® Cortex-M33器件复位

当RES#引脚电平被拉低时，所有处理都将中止，MCU进入复位状态。要在运行中复位MCU，应在指定的复位脉冲宽度内将RES#保持为低电平。有关时序要求的更详细信息，请参见《硬件用户手册》中“电气特性”一章的“复位时序”部分。另请参见本系列文章的第2节“仿真器支持”，了解与调试支持相关的复位电路的详细信息。

无需在RES#线路上使用外部电容，因为POR电路在内部将其保持为低电平以实现良好的复位，并且需要最小的复位脉冲来启动此过程。

在V_CC超过上电复位电压 (V_POR) 并经过上电复位时间 (t_POR) 之后，芯片将从上电复位状态释放。上电复位时间是允许外部电源和MCU达到稳定状态的时间。有关电压大小和时序的详细信息，请参见《硬件用户手册》中“电气特性”一章的“POR和LVD特性”部分。

由于POR电路依赖于RES#与V_CC同时为高电平，因此请勿在复位引脚上放置电容。这将减慢RES#相对于V_CC的上升时间，从而妨碍POR电路正确识别上电条件。

当电源 (V_CC) 降至不超过V_POR时，如果RES#引脚为高电平，则会产生上电复位。在V_CC上升到V_POR以上并且经过t_POR之后，芯片将从上电状态释放。

上电复位后，RSTSR0中的PORF位置1。引脚复位后，PORF清零。

这是由独立看门狗定时器 (IWDT) 产生的内部复位。

当IWDT下溢时，可以选择产生独立看门狗定时器复位（可以改为产生NMI），并且RSTSR1中的IWDTRF位置1。短暂延迟（通常为320µs）后，将退出IWDT复位。

这是看门狗定时器 (WDT) 产生的内部复位。

当WDT下溢时，可以选择产生看门狗定时器复位（可以改为产生NMI），并且RSTSR1中的WDTRF位置1。短暂延迟（通常为320µs）后，将退出WDT复位。

RA6快速设计指南 [3] 选项设置存储器，时钟电路(1)

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