来源:科技新报
据韩联社报道,三星电子一名常务涉嫌收受中资,意图在中国境内建设「复刻版」三星电子半导体厂,遭韩国检方拘留起诉。
韩国水原地检署今日(6月12日)表示,已经以违反产业技术保护法、防治不当竞争法等罪嫌,对这名65岁常务A某提出拘留起诉。
A某除在三星电子担任常务,也曾任SK海力士副社长,在半导体制造商算是极具影响力的人物,调查显示,他曾指示员工骗取三星电子核心技术。
据调查,A某涉嫌在2018年8月至2019年间不当取得、使用三星电子半导体厂的设计基本资料(BED)与工厂配置图、设计图等商业机密,设计30纳米以下等级、DRAM与NAND快闪存储器等被韩国政府定为国家核心技术的制造技术。
经查发现,该高管企图在距离三星电子西安半导体工厂仅1.5公里处兴建“山寨版”三星芯片厂。由于台湾一家电子产品制造商曾承诺的8万亿韩元(约合人民币443亿元)投资落空,工厂建设项目没能实际进行。
综合YTN,亚洲经济等韩媒报导,A某在2015年与鸿海集团旗下富士康签约,在新加坡设立公司后挖角200多名三星电子员工。2019年10月为在西安建厂,于中国北京设立公司,期间收到来自成都市投资者的4600亿韩圜资金(约25.5亿元人民币),采用三星电子技术生产最新产品,但因建厂计划失败而未能量产。
检方指出,这次案件并非单纯泄漏半导体相关技术,而是试图在中国完全复制韩国企业的半导体工厂,在国际半导体产业竞争激烈状况下,是危及韩国半导体根干的重大犯罪行为。
A某在中国设立公司所属5名员工及一名三星电子合作厂商员工也以违反防治不当竞争法罪嫌遭不拘留起诉。
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