一款射频芯片的layout设计指导案例-篇章2

40MHz晶振布局走线规范

• 在没有结构限制情况下， Crystal 和 BT CHIP 要放在同一层面。

• 为了避免干扰 RF 信号， Crystal 尽量远离 RF Trace。

• Crystal 的放置应尽可能靠近 BT CHIP，路径要短， Trace 宽度建议超过 6mil。

• 如果是 2 层板，禁止在 Crystal 的背层走线，让背层（BOT）的铺铜保留完整性。

ESD Layout

• TVS 摆放位置应尽可能靠近 ESD 源头（接头等处），与被保护 IC 的距离要远于 ESD 源。布线时需将 ESD 源直接接到 TVS，减少 TVS 管和回流地之间的寄生电感

• 分割地平面时要注意缩短信号线的回流路径， 采用星状线的方式实现并联接地。

• 删除孤岛铜皮，用地将敏感信号包裹起来，防止其他信号的辐射干扰

• 尽量缩短线长以减少寄生电感。因直角走线会产生更大的电磁辐射，避免直角走线连接到器件或走线上。高速电路设计时，更需注意这点。
• 尽量增大过孔的钻孔直径和焊盘直径，减少过孔的寄生电感。
• 布线时，让敏感信号线远离 PCB 板边。为避免走线与天线间的串扰，走线需远离天线，天线需放在离
• 接头较远的位置。布局时，将所有的接头和板边接线放在 PCB 板边一侧， ESD 敏感器件放到 PCB 中心。

• BT CHIP、 RF、 Crystal、 Buck 区域，尽量避免于这些区域走线。

• 两层板走线尽可能走在同一层面。

• 若走线要贯穿到背层，背面的走线尽可能短或者集中在一起，维持背面敷铜的完整。

• 电源VDD12 走线可将 EPAD 尺寸改小到 3.6mm， trace 从 IC package 缝隙中穿过。

• 上下层走线时尽可能不要平行重叠的走线

• External flash 必须尽量的靠近 IC 摆放

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