台积电在其 2023 年欧洲技术研讨会上透露了有关其即将推出的N2 和 N2P 工艺技术的更多细节。这两个生产节点的开发都考虑到了高性能计算(HPC)，因此，它们具有许多专门设计用于改进的增强功能表现。同时，鉴于大多数芯片旨在改进的性能效率重点，低功耗应用也将利用台积电的N2 节点，因为与前代产品相比，它们自然会提高每瓦性能。
“N2 非常适合我们今天所处的节能计算范式，”负责代工厂高性能计算业务部门的台积电业务发展总监Yujun Li 在公司2023 年欧洲技术研讨会上说。如图所示，在整个电压供应范围内，N2相对于 N3 的速度和功率优势非常一致，使其同时适用于低功率和高性能应用。”
台积电的N2制造节点--该晶圆厂的第一个使用纳米片栅极环绕（GAAFET）晶体管的生产节点--承诺在相同的功率和复杂性下将晶体管性能提高10-15%，或者在相同的时钟速度和晶体管数量下将功率使用降低25-30%。在提高晶体管性能方面，功率传输是基石之一，台积电的N2和N2P制造工艺引入了几个与互连有关的创新，以挤压一些额外的性能。此外，N2P引入了背面电源轨，以优化电源传输和芯片面积。
N2带来的创新之一是超高性能金属绝缘体-金属（SHPMIM）电容器，以增强电源稳定性并促进片上去耦。台积电表示，与几年前为HPC推出的超高密度金属-绝缘体-金属（SHDMIM）电容器相比，新的SHPMIM电容器的容量密度提高了2倍以上（与上一代HDMIM相比，其电容提高了4倍）。与SHDMIM相比，新的SHPMIM还将Rs片状电阻（欧姆/平方）降低了50%，而Rc通孔电阻也比SHDMIM降低了50%。
然而，减少电力输送网络中的电阻的另一种方法是重新构建再分配层（RDL）。从其N2工艺技术开始，台积电将使用铜RDL而不是今天的铝RDL。铜RDL将提供类似的RDL间距，但将减少30%的薄层电阻，并将通孔电阻减少60%。
SHPMIM和铜RDL都是台积电N2技术的一部分，预计将在2025年下半年用于大批量生产（HVM）。
去耦电源和I/O布线
使用背面电源输送网络（PDN）是N2P的另一项重大改进。背面电源轨的一般优势是众所周知的：通过将电源轨移到后面来分离I/O和电源布线，有可能使电源线变粗，从而减少线路后端（BEOL）的通孔电阻，这有望提高性能和降低功耗。此外，将I/O和电源线解耦可以缩小逻辑面积，这意味着成本降低。
在2023年技术研讨会上，该公司透露，其N2P的背面PDN将通过减少红外衰减和改善信号，使性能提高10%至12%，并使逻辑面积减少10%至15%。当然，现在这样的优势在高性能的CPU和GPU中会更加明显，这些CPU和GPU拥有密集的电源传输网络，因此将其移到背面对它们来说是非常有意义的。
Backside PDN 是台积电 N2P 制造技术的一部分，将于 2026 年底或 2027 年初进入 HVM。
