电源DDR硬件设计技巧

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主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给内核供电。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。

有的芯片还有专门的VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。

电源设计时，需要考虑电压、电流是否满足要求。

电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。

电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平面铺到管脚上，是最理想的状态，并且在电源入口加大电容储能，每个管脚上加一个100nF~10nF的小电容滤波。

参考电源Vref要求跟随VDDQ，并且Vref=VDDQ/2，所以可以使用电源芯片提供，也可以采用电阻分压的方式得到。由于Vref一般电流较小，在几个mA~几十mA的数量级，所以用电阻分压的方式，即节约成本，又能在布局上比较灵活，放置的离Vref管脚比较近，紧密的跟随VDDQ电压，所以建议使用此种方式。需要注意分压用的电阻在100Ω~10kΩ均可，需要使用1%精度的电阻。Vref参考电压的每个管脚上需要加10nF的电容滤波，并且每个分压电阻上也并联一个电容较好。

VTT为匹配电阻上拉到的电源，VTT=VDDQ/2。DDR的设计中，根据拓扑结构的不同，有的设计使用不到VTT，如控制器带的DDR器件比较少的情况下。如果使用VTT，则VTT的电流要求是比较大的，所以需要走线使用铜皮铺过去。并且VTT要求电源即可以吸电流，又可以灌电流才可以。一般情况下可以使用专门为DDR设计的产生VTT的电源芯片来满足要求。

如上图，Case1采用的是从内层控制器到各个SDRAM均为50ohm的阻抗设计。Case2则采用了主线40ohm,负载线60ohm的设计。对此通过仿真工具进行对比分析。

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