瑞能半导体：高效碳化硅器件助力光储充应用

自2011年以来，瑞能半导体持续研发并推出多种碳化硅半导体器件，出货量累计达4000万颗。目前，瑞能SiC二极管产品已完成六代产品开发，拥有1.26V超低Vf，SiC MOSFET产品正在进行第三代trench gate产品开发。当前，第二代产品已实现业内最低比导电阻: Ron,sp=2.6mΩ·cm2。

具体产品方面，公司2022年推出的1700V SiC MOSFET采用TO-247封装，主要应用于光伏，电动汽车，储能充电等电力电子系统中。与市场上常见的1500V Si MOSFET相比，瑞能1700V SiC MOSFET的通态电阻（Rdson）有明显优势。在高温情况下，Si MOSFET的通态电阻快速上升，而瑞能SiC MOSFET的通态电阻随温度变化较小，在150℃高温下还可以维持在较低水平，这也为一些环境温度比较恶劣的应用带来了使用上的优势。在全功率范围内，1700V SiC MOSFET器件方案可保持3%左右的效率优势，而工作状态下，较低的损耗又同时大大降低了器件的运行温度，提升了器件运行的长期可靠性。该款产品有效简化系统结构，减少BOM成本，提升效率和输出功率。