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近日，澎芯半导体宣布，经过6个月以上的产品开发流程和可靠性考核，新推出性能参数优异，可靠性高的1200V 40mΩ的 SiC MOSFET产品。
据介绍，这款SiC MOSFET产品的晶圆流片和封装测试均由车规级制造平台完成，已经通过工控级可靠性认证，车规认证AEC-Q101测试进行中，预计Q3将完成车规认证。
6吋SiC MOS晶圆（左图）SiC MOSFET封装成品（右图）
据介绍，澎芯半导体的SiC MOSFET门极驱动电压推荐Vgs_on为+15V/+18V兼容，封装形式包括四种：TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL。
本次新产品的推出，使得澎芯半导体1200V电压平台的产品更加完善，此平台目前已量产的型号包括以下：
● 1200V 80mΩ
● 1200V 60mΩ
● 1200V 40mΩ
● 1200V 32mΩ
另外，澎芯半导体新推出的1200V 40mΩ产品，参数分布一致性较高，平均良率达到85%以上，达到业内领先水平。
该器件各项参数性能指标表现非常优异，请参见下面典型参数曲线，详细规格书和相关应用技术支持，请详询澎芯半导体各经销处。
除了以上新产品的推出之外，澎芯半导体为了完善产品布局和提升顾客服务，即将推出以下三颗新产品：
