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与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎。“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，罗姆通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。
产品
特点
◼ 采用铜夹片结构封装
支持大电流，封装电阻更低
◼ 同时降低了导通电阻和栅极电荷容量（权衡关系），有助于减少能量损耗
采用铜夹片结构和新工艺元件，实现业内超低导通电阻
通过优化器件的栅极结构，还同时降低了栅极电荷容量
◼ 以小型5060尺寸和3333尺寸封装扩充产品阵容
产品阵容中包括40V/60V/80V/100V/150V耐压的13款机型（24V/36V/48V输入需要考虑尖峰和噪声容限）
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RS6xxxx系列 | ||
RS6G120BG | RS6G100BG | RS6L120BG |
RS6L090BG | RS6N120BH | RS6P100BH |
RS6P060BH | RS6R060BH | RS6R035BH |
RS6xxxx系列 | |
RH6G040BG | RH6L040BG |
RH6P040BH | RH6R025BH |
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