宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最为常见。随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC,GaN等被广泛应用于射频，超高压等领域，为适应特高压输电，电动汽车充电桩等超高压应用，可以承受更高电压的超宽禁带半导体，如金刚石，氧化镓等的研究也在逐渐深入。
宽禁带材料一直是研究方向的热点，在半导体材料的研究中，电阻率，载流子密度和迁移率是测试的关键参数。
对第三代半导体的研究和测试主要分为三个阶段，本次直播将为大家介绍各阶段亮点及所面临的测试挑战！
材料级-材料阻抗分析
- 低电平测量挑战
- 材料自热效应对测试的挑战
- 半导体材料的霍尔效应
器件级特性-静态参数分析
- 高压3kV，高流100A高精度源表
- 从Lab到Fab的以源表为硬件构成的完整静态参数测试系统
- 超高精度电流输出精度40fA，电流测试精度10fA，电压测试精度80µV
应用层测试-动态参数分析
- 示波器+双脉冲信号源+光隔离探头组成的双脉冲测量方案
- 器件动态参数的一键式配置和结果显示
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直播日程
朱杰昕
泰克现场应用工程师
2009年毕业于上海大学通信与工程专业，于2013年加入泰克公司，历任技术支持工程师，目前担任华东区现场应用工程师。
主要负责华东地区通用信号测试仪器，包括，示波器、源表、任意波形发生器、数采等产品，加入泰克以来，为广大的研究院、知名企业、院校研究类学科专业提供了专业的技术服务，对电源完整性、小信号测试、前沿科研材料电学特性测试及应用有着深入的研究和深刻的理解。
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