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由于氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅 MOSFET 快得多,因此可以实现更低的开关损耗。德州仪器 (TI) GaN FET 系列可提供具有整个生命周期的可靠性和成本优势的高效 GaN 解决方案,并应用于电信、服务器、电机驱动器、笔记本电脑适配器以及电动汽车的车载充电器等。
在本期 TI 培训课程推荐中,我们为大家带来了 GaN FET: PFC 设计中的高功率密度和效率视频。通过本视频您可以了解如何使用集成 GaN FET 在功率因数校正 (PFC) 和高压直流/直流转换器中实现高功率密度和效率。
点击下方链接,一起解锁本期培训视频吧!相关资料可以在该课程的“资料下载”处获取。
课程目录
以下为 GaN FET: PFC 设计中的高功率密度和效率视频的目录:
推动更高效率和密度的应用 - 信息技术电源和汽车车载充电器
用于功率因数校正 (PFC) 设计的 TI GaN
用于 DC/DC 转换器设计的 TI GaN
TI GaN 参考设计和工具
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