【倒计时3天|5月16-19日】今年的碳基半导体论坛讨论点什么？请查收最新日程安排+最全温馨提示

2023年5月16-19日  浙江·宁波

 这一点，也曾在第386次香山科学会议提到，以碳材料为主的半导体器件是以共轭小分子/聚合物、石墨烯、富勒烯和碳纳米管材料作为主要工作物质的功能器件，包括有机发光二极管、有机光伏电池等。

目前，作为与硅基半导体器件互补的新型器件，碳基半导体器件目前已形成一个由化学、物理科学、信息电子科学和材料科学等诸多学科相互交叉的新兴研究领域，正在信息显示、固体照明、自动控制、太阳能利用、信息存储等多方面展现出越来越重要的应用前景。

特别是以有机发光二极管为基础的新型平板显示和固态光源，已经率先或即将进入应用领域的这一事实，更是向人们展示了碳基半导体器件广阔的发展前景。

后摩尔时代的来临，究竟给中国半导体产业发展带来怎样的新机遇？随着芯片制造工艺逼近2纳米，硅基芯片材料无法满足行业未来进一步发展的需要，启用新材料是公认的从根本上解决芯片性能问题的出路。究竟哪种半导体材料能够突破重围，谁将掌握未来芯片市场？

不管是以碳纳米管、石墨烯为代表的碳纳米材料，还是石墨、金刚石等先进碳材料及其复合材料在芯片领域具有极大潜力，也越来越得到国内外的重视，但如何从实验室走到产业化？碳基半导体是否会比硅基半导体通过技术升级创新更有优势？碳基半导体产业化打通究竟需要什么条件？碳基半导体的优势应用如何最大化落地？关键装备与工艺如何创新匹配产业发展需求？

多元视角，探索碳基半导体应用的无限可能！

基础研究如何指导产业，助力行业的发展

产业放大工艺如何优化

新工艺新材料如何融合，发挥1+1>2的效果

关键设备国产化进程如何？

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江南，1997 年博士毕业于日本大阪大学，现任中科院宁波材料技术与工程研究所研究员。目前主要从事功能碳素材料，包括 CVD 金刚石、石墨烯、石墨高导热复合材料及其相关器件研发和产业化应用工作。

CVD 金刚石具有许多独特的性质和性能，在众多高精尖技术领域具有极其重要的应用价值，自上世纪80 年代中至 90 年代末，兴起了第一波“CVD 金刚石热”。不过，由于 CVD 金刚石的规模化应用始终没有发展起来，导致后期 CVD 金刚石研究经历了一段低潮。不过近几年，第二波“CVD 金刚石热”似乎已经到来，国内外均投入大量设备、资金及人力从事大尺寸高质量 CVD 金刚石材料（单晶及多晶）的开发。然而，CVD 金刚石始终处于小众领域，特备是其功能应用的开发，仍然比较缓慢，究其原因即包括材料合成技术本身的局限，同时也包括应用端的开发不足。基于此，本报告将从目前金刚石材料的制备及应用现状出发，综述目前主流的大尺寸高质量 CVD 金刚石材料合成技术，以及典型应用案例。同时，介绍本团队在相关领域的部分研究成果，并对大尺寸 CVD 金刚石材料下一步的发展做一些探讨。

单一手性半导体碳纳米管的产业化制备是构建性能均一可控集成电路的关键。目前已经发展了各种液相分离技术，包括离子交换色谱法、密度梯度离心法、双水相法萃取法以及凝胶色谱法等用于碳纳米管手性结构的分离。特别是凝胶色谱法，由于其简单、高效、低成本等特点，发展迅速，已经可以分离制备20余种单一手性碳纳米管及其镜像体。然而，多种类单一手性碳纳米管产业化分离一直难以实现，阻碍了其固有性质及其在电子学和光电子学中的应用研究。最近我们团队基于凝胶色谱法，进一步发展了多种分子调控技术，并结合温度的精细控制，大幅提高了单一手性碳纳米管分离效率，分离产量达到了毫克量级，为其产业化制备奠定了技术基础，也在一定程度上解决了碳纳米管在纳电子和光电子器件上应用的材料瓶颈。在本次报告中，将介绍我们在单一手性碳纳米管分离的最新研究进展。

微纳米加工技术的进步成就了集成电路芯片辉煌发展的历史。报告人在微纳米加工技术领域已有30 年的从业经历，包括集成电路与 MEMS 芯片的微纳加工，以及柔性电子的印刷增材加工技术研发。本报告将概述微纳加工的发展历史，以及实现7nm 以下集成电路芯片制造的最新进展，并针对碳纳米管集成电路芯片技术的发展，说明微纳米加工在碳基电子器件制备方面的重要性。结合报告人科研团队自 2010 年以来从事印刷碳纳米管薄膜晶体管的研发经历，说明碳基电子器件发展中的机遇与挑战，并对未来碳基电子器件的产业化前景发表报告人个人的一些看法。

随着微电子集成技术和组装技术的快速发展，电子元器件和逻辑电路的体积越来越小，而工作频率急剧增加，半导体的环境温度向高温方向变化，为保证电子元器件长时间可靠地正常工作，及时散热能力就成为其使用寿命长短的制约因素。高导热复合材料在微电子、航空、航天、军事装备、电机电器等诸多制造业及高科技领域发挥着重要的作用。所以研制综合性能优异的高导热复合材料成为了目前研究热点。本报告以金刚石为导热填料，制备新型的高导热聚合物基复合材料。

电阻标准是电学计量的基石之一。与传统砷化镓基二维电子气（2DEG）相比，石墨烯中的 2DEG 在相同磁场下量子霍尔效应低指数朗道能级间隔更宽，以其制作的量子霍尔电阻可以在更小磁场、更高温度和更大电流下工作，易于计量装备小型化。汇报人在绝缘衬底表面采用气相催化辅助生长石墨烯，成功制备高计量准确度的量子霍尔电阻标准芯片。将该芯片集成于桌面式量子电阻标准器，在温度为 4.5K、磁场大于 4.5T 时，比对准确度达到 1.15×10^-8，长期复现性达到 3.6×10^-9。该工作提出了适用于电学计量的石墨烯基工程化、实用化的轻量级量子电阻标准实现方案，通过基于其量值的传递方法，可以满足不同应用场景下的电阻量值准确溯源的需求，补充国家计量基准向各个行业计量系统的量传链路。

石墨烯由于其卓越的力学、电子和光学性能，在科学研究和实际应用中引起了广泛关注。然而，基于石墨烯的技术的商业化发展受到两个主要挑战的阻碍。其一是大规模高质量单晶石墨烯薄膜的生产，其二是对其厚度和扭曲角的精确控制。在这次报告中，我将主要阐述我们组最近在石墨烯单晶设计生长方面的研究，包括米级单层石墨烯 生长、厘米级扭曲双层石墨烯制备 和 100,000 层石墨膜连续制备。这类生长技术适用于其他二维材料的设计生长，并将为尖端应用开辟新的机会。

柔性电子已成为当前材料、化学、电子等多学科的关注焦点，柔性显示、可穿戴设备、电子皮肤等柔性电子产品将会给人类的生产生活带来深刻影响。经过多年的发展，目前基于有机小分子的发光技术日趋成熟并推向市场，在手机、电视机等得到广泛应用；基于光电功能高分子的柔性电子技术正处于发展的关键阶段。新材料的开发及新技术的发展使得这一领域具有广阔的发展前景。我们的工作重点聚焦新型高性能可印刷有机高分子光电材料、界面材料和电极材料等的设计制备与功能调控，致力于突破高性能大面积柔性印刷电子器件可控构筑的关键瓶颈问题。

SiC 材料简介及元素分析必要性，PE 元素分析仪
器简介，PE. ICPMS 在元素分析中的优势。

嘉宾介绍：哈尔滨工业大学科研院院长，航天学院教授、国家杰出青年基金，万人计划领军人才，GF 科技创新团队带头人。主要从事晶体及薄膜等研究，担任中国材料研究学会极端材料与器件分会副主任、中国硅酸盐学会薄膜与涂层分会副理事长、中国仪表材料学会副理事长、中国机械工程学会表面工程分会副主任，中国表面工程、功能材料、低温与真空、人工晶体学报、材料科学与工艺等杂志编委，获得中国青年科技奖、省青年五四奖章等荣誉，获国家技术发明奖二等奖 1 项（2011， 第 2）， 黑 龙 江 省 技 术 发明一等奖（2014，第 1）和二等奖（2011，第 1） 各 1 项。以 负 责 人 承 担 国 家 自 然 科学基金 6 项、重点研发计划项目 2 项、国防基础科研 3 项、预研计划 7 项、军品配套 3 项等科研项目。成果已应用于多种重点型号，并实现产业化。获授权发明专利82 项 ( 转让 21 项 )，发表 SCI 论文 181 篇，出版学术专著 2 部，译著 1 部。

1917 年 ，爱因斯坦提出“受激发射”理论。一个光子使得受激原子发出一个相同的光子，这为激光的产生奠定了理论基础。1960 年，美国科学家西奥多梅曼成功研制了世界上第一台激光器——红宝石激光器 。1961 年夏，中国第一台红宝石激光器在长春光机所王大珩院士主持下研制成功。现在，激光技术在金刚石材料上的应用很广泛，比如钻石的切割，可以切边切片，雕刻圆钻的 4P 形状，还可以雕刻钻石祖母绿、心形、水滴等各种异型形状；在钻石上打微孔；PDC 金刚石复合片雕刻各种形状；激光研磨金刚石提高表面平整度等。

金刚石被誉为“终极功率半导体”，备受关注，已开始

逐步迈向实用化。尤其是近年来随着后摩尔时代的来临，加速了金刚石半导体的开发，不管在材料制备和器件均有重大突破。另外，以金刚石为代表的先进碳素及其复合材料 ( 包括热沉材料、封装材料、基体材料等 )，将在大功率、高频光电子器件散热领域发挥重要的作用，解决芯片热管理面临升级换代的巨大挑战。金刚石优异的光学性质越来越引起人们的重视。金刚石中与空位相关的缺陷，如 NV、SiV 色心，非常适合用于量子信息处理和量子计算。同时，可以将金刚石加工成高品质光学微腔和各种光波导结构，从而实现基于色心的微纳光子器件。金刚石是深紫外光电探测器的理想候选材料，也在极大程度上克服了基于传统工作物质的粒子数反转激光器存在的热效应、以及波长和输出功率难以兼顾的难题，为人们获得高功率、高亮度激光光束提供了新的技术路径。CVD 金刚石因其高硬度、强导热率与红外透光率等优异性能，未来有望在军事上有诸多用途，如导弹整流罩、红外光学窗口、单兵防弹衣、坦克等外层防护等。另外，从晶棒到单个芯片的过程，金刚石的超硬特性也使其在半导体加工领域占据重要地位。报告从金刚石功能应用入手，分享金刚石在半导体领域的新机遇与挑战。市场发展现状以及未来如何最大化落地；金刚石作为加工半导体的工具，助力半导体行业发展的重要性。

碳纳米管由于其出色的电学、力学、光学性能，具有广泛的应用前景。在这些材料中，缺陷是一个关键问题，在许多情况下对低维材料的性能起着重要作用。通过在半导体单壁碳纳米管的管壁 sp² 晶格中合成 sp³ 缺陷，可将传统晶体里不受欢迎的缺陷转变成调配低维材料中电子、激子、声子和自旋耦合的分子焦点，从而成为室温下单光子源。本报告简要介绍合成这一高质量单光子源的化学途径与机理。与其他色心通常作为局部缺陷出现不同，碳管壁的量子发光位点可以在分子精度下可控合成，因此为化学创新开辟了广阔的机遇。我们的研究还将演示如何实现精准的读写操作，包括图案化。

 金刚石不仅是自然界中最坚硬的物质，同时也是一种具有超宽带隙、高载流子迁移率和高热导率的理想电子材料。通过对金刚石实施弹性应变加载不仅有助于进一步提升其电子和光电器件性能，而且有望解决金刚石掺杂困难的问题。基于材料的尺寸效应，单晶金刚石在纳米尺度下表现出前所未有的巨大弯曲弹性变形（Science 360, 300-302 (2018)），为通过“弹性应变工程”实现金刚石的功能器件应用开辟了崭新的道路。为将这一发现付诸器件应用，本次研究中我们进一步通过微加工块体单晶金刚石得到微桥阵列结构，并通过原位拉伸加载首次实现了整体均匀、接近10%的超大弹性应变（Science 371, 76-78 (2021)），并通过密度泛函理论（DFT）计算以及电子能量损失谱分析，初步验证了深度弹性应变能有效改变金刚石的电子能带结构，为调控金刚石在微电子、光电子和量子信息技术中的器件应用展现了潜力。

自石墨烯材料被发现以来，它以其独特的优异性能吸引了全世界学术界与产业界的目光。石墨烯材料在高性能电子器件、柔性器件、传感、显示等领域展现出巨大的发展潜力。随着石墨烯制备工艺的逐步发展，现已发展出机械剥离法、氧化还原法等石墨烯粉体制备工艺，以及化学气相沉积（CVD）法等制备石墨烯薄膜工艺。CVD石墨烯薄膜以其独特的单层、大面积、高透光等优势，性能远高于石墨烯粉体材料，而具有更大的产业发展潜力。但由于其独特的生长工艺，CVD石墨烯薄膜常生长于铜箔等金属基材，难以有效与目标应用场景结合，从而大大限制了石墨烯薄膜在半导体、显示等工业体系的应用。

转移工艺则是为了解决石墨烯薄膜工业化应用关键问题而诞生的。我们的团队基于转移介质的结构设计和界面力的精准调控，实现了大面积石墨烯薄膜的无损转移；与此同时，我们还针对石墨烯转移工艺的自动化产线，开展装备设计与研发工作：（1）我们通过调控石墨烯与转移媒介、目标衬底间的结合力，实现干法机械剥离；（2）我们通过调控转移媒介工艺，实现共形接触，并最终实现大面积石墨烯的无损、洁净转移；（3）我们通过工艺的自动化设计，完成了鼓泡设备、旋涂设备、剥离设备等设备的建造，初步实现部分转移工艺自动化；（4）我们通过石墨烯转移工艺，实现了石墨烯在冷冻电镜载网、氮化镓外延Micro LED等场景的应用。

 柔性电子材料与器件是柔性电子的主要体现形式之一，是以柔性材料为基础，并结合电子工业技术的新一代柔性电子元器件，是未来信息技术发展的迫切需求。柔性电子的出现为经典电子学的发展提供了新的方向，触发了新形态电子设备的产生。然而，电子材料与器件由刚向柔转变过程中，传统的刚性制备与测试方法变得无法完全适应，而对相匹配的柔性制备与测试体系对推进柔性电子行业的发展变得必不可少。

湖南纳昇电子科技有限公司推出了R2R Coater系列卷对卷涂布机，助力光伏能源、光电显示、二维材料、可穿戴电子、传感器等柔性电子领域的产业化制备；此外，FlexTest系列柔性材料与器件测试系统，提供了一种模块化的柔性测试精密仪器，旨在为柔性与印刷电子领域的开发者提供一种工业可靠性测试工具。 

金刚石是一种典型的超宽禁带半导体材料，具有击穿场强高、载流子输运特性好、热导率极高、抗辐照能力超强等优异的性质，在高速大功率电子器件、辐射探测器、芯片级散热材料等领域具有巨大的应用潜力。目前金刚石的高效体掺杂尚未解决，氢终端金刚石被广泛应用于场效应晶体管的研究。高纯、高质量单晶金刚石也已经在辐射探测器等领域展现出巨大的性能优势。西安电子科技大学目前已在金刚石外延MPCVD设备、高质量大尺寸金刚石材料外延、高性能金刚石场效应晶体管及辐射探测器等研究领域取得了一系列重要研究进展。本报告将具体介绍金刚石在微波功率场效应管、辐射探测器等领域的最新研究进展，及西安电子科技大学在相关领域取得的重要进展。

超宽禁带半导体金刚石具有高击穿电场、高载流子饱和速度和高热导率等特点，被认为是下一代最有潜力的功率半导体。与掺杂金刚石相比，氢终端金刚石具有激活能低、空穴浓度高、迁移率适中等优点，在微波功率、电力电子领域有较好的应用潜力。然而氢终端金刚石器件的可靠性仍面临严峻的挑战，这主要是由于氢终端金刚石载流子输运机理不明确导致的，如栅介质沉积温度对陷阱的响应特性、栅介质与金刚石衬底陷阱的动态响应特性、热电耦合的作用机制。本报告主要针对氢终端金刚石场效应晶体管存在的可靠性问题，开展了特性表征与机理研究，并提出了一种超低泄漏电流的金刚石器件结构，实现了200°C下可靠工作。   

GaN/金刚石复合结构衬底是由GaN HEMT功能层上直接进行金刚石厚膜生长替代原始碳化硅衬底获得的兼具GaN HEMT结构优良电学性能以及金刚石良好散热属性的复合结构衬底。通过去除原始碳化硅衬底，并进一步沉积金刚石厚膜的生长方式，实现了15mm*15mm小尺寸样品的可控生长，金刚石膜厚达到100μm以上，器件验证结果显示以金刚石替代原有的碳化硅衬底后，功率密度提升了25%。通过工艺优化后，基于GaN/金刚石复合结构衬底的微波功率器件功率密度有望进一步提升。

金刚石作为超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高等性能优势，被认为是“终极半导体”。然而，n型掺杂的困难以及p型掺杂原子较深的能级限制了金刚石电子器件的发展。金刚石氢终端导电性的发现为金刚石电子器件的发展开辟了一条新的道路。但截止目前，学界关于金刚石氢终端的导电机理存在较大的争议，氢终端载流子的调控方式也尚不明确。因此，本报告将结合本团队前期研究进展，介绍金刚石氢终端载流子迁移率、浓度随温度的变化过程及影响机理；同时提出一种大幅提升金刚石氢终端载流子迁移率的方法。

宽波段光电探测是光电子器件领域的重要研究课题之一。本报告主要介绍石墨烯/硅异质结的响应机理和器件性能，设计并制备石墨烯/过饱和掺杂硅、石墨烯/微纳图案化硅等异质结构，将探测器响应波段拓展到短波红外波段，分析栅压对探测器响应度、噪声等参量的影响规律，并通过引入中间介质层改进载流子输运来提高器件性能，证明石墨烯/硅异质结器件具有宽波段响应、高增益和与CMOS工艺兼容等优点。  

影响石墨烯场效应晶体管性能的关键因素包含寄生和界面，其中接触电阻以及栅介质和衬底的散射将决定晶体管电流密度、工作频率的上限，通过金薄膜转移/自对准以及高声子能量接触处理，我们研制出最高实测截止频率和振荡频率的射频晶体管、大带宽红外探测器以及高效率电光调制器的研制，为石墨烯在高端芯片的应用探索出可行的技术路径。

Ga₂O₃的β相（β-Ga2O3）在高温、高压和高频领域具有巨大的应用潜力，例如用于制造电力电子器件和日盲紫外光电探测器。最近，α相的Ga2O3（α-Ga2O3）和ε相的Ga2O3（ε-Ga2O3，也称为κ-Ga2O3）已经分别成功地应用于紫外光探测器和射频器件。这表明各个相Ga2O3在电子器件中的应用潜力都非常大。然而它的低导热性（β-Ga2O3：~11 - 27 W/mK）成为影响Ga2O3器件可靠性的关键问题。目前关于β-Ga2O3的热传输特性的相关报道很多，而对α/κ-Ga2O3的热传输特性的研究却很缺乏。本文通过液体注射金属有机化学气相沉积法（LI-MOCVD）在蓝宝石（Sa）衬底上制备了三种不同相（菱形α、单斜β和正交κ）的Ga2O3薄膜，厚度分别为137 nm，115 nm，89 nm。使用时域热反射技术测量了α-、β-和κ-Ga2O3薄膜的热导率，金（Au）与α-、β-和κ-Ga2O3界面热导（TBC1）和α-、β-和κ-Ga2O3与Sa界面热导（TBC2）。并且将第一性原理（DFT）和扩散失配（DMM）模型分别用于薄膜氧化镓热导率和界面热阻理论计算。基于以上实验结果，对Ga2O3器件进行了三维有限元热模拟，结果表明不同相的Ga2O3热导率以及界面热阻（TBC1和TBC2）对器件结温（Tmax）具有显著影响。

氮化镓电子器件，尤其是HEMT器件，近几年在大功率、高集成度应用方面都取得了巨大进步。然而，高功率密度的发展受限于其自生热和近结区散热能力引起器件结温升高问题，严重导致器件性能下降，使GaN器件的高功率性能优势远未发挥。因此，器件芯片级热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向。为此，本报告对近年来国内外正在开展GaN功率器件热管技术进行分析，结合本团队的研究进展，系统评估碳基材料在GaN功率器件热管理应用中面临的技术挑战。

为了解决界面传热问题，金属纳米片，由于具备天然的二维结构和各向同性的热导率，被广泛用作填料与环氧树脂混合以制备填缝粘合剂。然而，制备热导率超过10 W m^-1 K^-1 的金属纳米片填料粘合剂仍然具有挑战性，即使采用了各种表面修饰、杂化和结构设计方法。这个长期存在的瓶颈主要归因于目前大多数金属纳米片是通过“自下而上”的工艺（例如基于溶液的化学合成）制备的，不可避免地包含晶格缺陷或杂质，导致其固有热导率较低，仅为理论值的20-65%。

据此，我们采用一种“自上而下”的策略，通过分裂高度纯化的具有纳米厚度的银箔片制备银纳米片，本征热导率高达398.2 W m-1 K^-1，达到理论值的93％。将其直接与环氧混合后，所得银/环氧体系导热粘合剂（18.6 vol%）的热导率高达15.1 W m^-1 K^-1。该银/环氧粘合剂具有良好的可打印性、填缝能力、适当的粘结强度（约10 MPa）和优异的界面传热性能（7-9 K mm² W^-1）。   

石墨烯及其衍生物由于其二维材料的独特光电性质展现了成为高性能催化材料或者复合催化材料载体的潜质，但是其催化活性的实现需要对石墨烯进行精确的微观结构与电子结构的调控。我们从材料制备出发，对于单层石墨烯进行精确的缺陷控制，构筑活性位点以提高催化剂性能。同时，以石墨烯为载体复合半导体催化剂，设计2D-2D复合催化材料，并应用在废水废气处理，为对接产业化应用提供可靠路线。

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2023年5月31日18:30-20:00线上报告&交流

硅晶圆延续摩尔定律已超过 60 年，芯片由数千个晶体管已密化至百亿以上。其间以 HKMG，SOI 解决了漏电问题，又以 FinFET，GAA 解决了电子遂穿问题，现在正走向量产节点只有十个原子宽的 3nm 制程。但其实硅晶体管在 28nm 后，主频就受限于热点而不再增加，除此之外，每个晶体管的成本不降反昇。更有甚者，尽管下游的散热技术不断改进，芯片的平均温度已经限制在 100℃，不能提高。

硅的大限在它的能隙太小（1.1eV），超过 3eV 的第三代半导体（SiC，GaN，Ga2O3）现在正大行其道。但这些半导体晶格的对称度不足，所以只能做功率元件，射频晶片。其实第三代半导体不能延续硅晶体管密度的摩尔定律。

From Idea To Market！

2023年5月16-19日

活动地点：香格里拉宴会厅1-2厅

地址：浙江省宁波市鄞州区豫源街88号

会议期间暂时阴雨天气为主，但是宁波的天气琢磨不定，请提前安排好行程和携带雨具，遮风挡雨还能防晒~

打卡推荐·甬行

1、天一阁·月湖景区（强烈推荐哦）

景区包括了历史上著名的月湖十洲，涵盖了中国现存最早的私家藏书楼（天一阁），以及月湖地区最重要的陆域和水域范围，是历史文化信息集中分布特点最明显的区域。

2、老外滩

宁波老外滩位于三江口的江北岸，曾是进入宁波古城的门户。2020年，老外滩入选全国第二批步行街改造提升试点，并被确定为浙江省夜间经济试点（培育）城市重点建设的夜坐标。

3、招宝山旅游风景区

招宝山旅游风景区南吞甬江，北临东海，西接古海塘。山海风光壮观瑰丽。这里曾是我国东南沿海抗倭、抗英、抗法和抗日的主战场之一，拥有全国重点文物镇海口海防遗址、山下集珍湖区、鳌柱塔、宝陀寺、招宝山大桥等景点。

4、溪口雪窦山

在这里，游客可以体验三隐潭的奇秀、神秘；可以在古松高挺，怪石遍地的妙高台登高望远；可以欣赏到千丈岩湍急奔腾、夺崖而出的涧水；还可以在雪窦寺感受一份宁静与平和。

5、鸣鹤古镇

一到周末节假日，鸣鹤就很热闹，随便逛一圈就能满载而归，鸣鹤年糕饺、老鼠糖球、冻蒲......每一样都是古镇的独特味道。

6、十里红妆文化园

明清至民国时期宁绍地区的婚俗，常用“良田千亩，十里红妆”形容嫁妆的丰厚，嫁妆队伍绵延数里，充分体现旧时嫁女的浩大场面。文化园收藏有花轿、床、箱柜、房前桌椅、梳妆奁等各类红妆藏品2000余件。

7、宁波杭州湾国家湿地公园

宁波杭州湾国家湿地公园位于杭州湾跨海大桥西侧，是世界级观鸟胜地。每年秋末，成千上万的候鸟远道而来，在这里栖息、繁衍。目前已记录鸟类220余种。

8、东钱湖

东钱湖位于宁波市东南部，湖面20平方公里，45公里的环湖岸线，81岭环抱，72溪流注，为浙江第一大天然淡水湖，被誉为“西子风韵、太湖气魄”，集国家级旅游度假区、国家级水利风景区于一身。

这个五月，来宁波

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