汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会
相比SiC MOSFET,基于硅衬底的GaN器件具备显著价格优势,但是车规应用对GaN器件的要求非常高,目前鲜有企业实现“上车”。不过,新能源汽车的蓬勃发展,使得GaN器件企业正在加快车规级技术开发,最近,英诺赛科和Transphorm提供了他们的2条“上车”路线,详情请往下看。5月9日,英诺赛科联合伯尔尼应用科学大学(BFH)展示了一个参考演示,该设计在多级拓扑结构中采用了英诺赛科的650V InnoGaN HEMT器件,解决850V DC的应用。加入氮化镓大佬群,请加VX:hangjiashuo666
值得一提的是,该设计采用的是ANPC拓扑结构,转换器搭载英诺赛科650V、80mΩ HEMT,采用8x8mm DFN封装,可以不需要缓冲电容器或SiC二极管,并且实现99%的逆变效率,有助于降低系统成本。据悉,该产品的应用领域包括电动汽车电机驱动器、太阳能和工业逆变器、EV 快速充电器以及 EV 动力传动系统等。5月9日,据外媒消息,Transphorm发布了其业界首款1200V GaN-on-Sapphire器件的仿真模型,或将实现GaN在新一代汽车和三相电力系统中的应用。
据悉,Transphorm已验证了氮化镓器件在100kHz开关频率、5kW 900V降压转换器中应用的可靠性,1200V 氮化镓器件实现了98.7%的效率,超过了具有类似额定值的量产SiC MOSFET。Transphorm表示,1200V GaN器件可为汽车系统提供独特的优势——如今电动汽车800V系统已成趋势,他们的1200V 平台将在新一代车载充电器、DC-DC转换器、驱动逆变器和杆式充电系统方面大显身手,该样品预计于2024年一季度推出。插播:了解全球氮化镓产业趋势、全国氮化镓项目等,可扫描下方二维码👇👇👇