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该产品组合还包括采用半桥功率集成模块(PIMs)的新型EliteSiC M3S器件,具有领先业界的超低Rds(on),采用标准F2封装。这些模块非常适用于工业应用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率转换阶段。它们提供更高的集成度,采用优化的直接键合铜设计,实现了并联开关之间的平衡电流共享和热分布。这些PIM旨在提供高功率密度,适用于能源基础设施、电动汽车直流快速充电和不间断电源(UPS)。
安森美高级副总裁兼先进电源分部总经理Asif Jakwani说:
“安森美最新一代汽车和工业EliteSiC M3S产品将助力设计人员减小其应用占位和降低系统散热要求。这有助于设计人员开发出能效更高、功率密度更大的高功率转换器。”
车规级1200 V EliteSiC MOSFET专用于高达22 kW的大功率OBC和高压至低压的DC-DC转换器。M3S技术专为高速开关应用而开发,具有领先同类产品的开关损耗品质因数。