通常，涉及到高电压（强电）和低电压（弱电）之间的信号传输的设备都需要进行电气隔离，以保证强电和弱电电路之间信号传输的安全性。隔离 电源 芯片是内置片上变压器的隔离DC/DC电源芯片，将输入电源进行转换并输出，实现输入输出两端电气隔离的电源芯片。因此在PCB布线设计中，除了要遵循PCB布线的基本规则外，还有以下一些注意事项：
隔离电源工作时，芯片电源VCC和地之间有比较大的尖峰电流，为了及时补充芯片在高速工作时所需的尖峰电流，防止输入侧电压跌落，在电压供电的入口处需放置一个10uF左右的储能电容，滤除低频噪声。同时为了滤除叠加在电源线的高频交流干扰，电源和地之间需要再并联一个0.001~0.1uF的去耦电容。去耦电容的摆放位置非常关键，其原则是：尽量靠近电源引脚，并使电容的电源走线和地线所包围的面积最小。当有多个电容并联时，因小电容的去耦半径更小，应尽可能最靠近芯片引脚。电容到芯片引脚的距离应控制在2mm以内。如下图所示：当需要在电源线和地线之间放置过孔时，为了减少过孔寄生电感的影响，过孔的摆放位置应在电容相对于芯片引脚的外侧，而不是放置在芯片和电容之间，如果PCB空间允许，可以放置多个过孔，相当于过孔的寄生电感并联，进一步减少过孔寄生电感的影响。隔离器芯片通常用于工业控制领域，需要过安规认证。而隔离电源芯片内置微变压器，变压器开关工作频率较高，短时间大电流的切换会产生电磁辐射，引起较大的di/dt噪声，产生EMI问题。微变压器原副边电流路径的环路面积影响着辐射干扰的强弱，电流环路越大，辐射越强。除了上面提到的电源和地之间的滤波电容外，还可以通过PCB的VCC平面层和地层之间的拼接电容，形成去耦电容。当PCB的两信号层存在面积覆铜交叠时，就会形成一个电容。这种电容分布电感低，高频特性好，能覆盖宽的频率范围，可以用来改善EMI的辐射干扰。下面举例一种4层PCB的布线方法。4层PCB的中间两层加入VCC(原边）和VISO（次边）铜箔。以增加其对GND1的寄生电容；GND1和GND2的交叠电容。能明显改善EMI效果，如下图所示：注意GND1和GND2的PCB层间距离应大于0.4mm 。除了利用PCB拼接电容改善EMI辐射，还可以利用过孔建立屏蔽墙，为内层电源建立边缘防护来改善EMI辐射。电源层和地层的电场是变化的，在PCB板边缘会向外辐射电磁干扰，称为边缘效应。将电源层内缩，使得电场只在接地层的范围内传导，以减少向外辐射。若电源平面的边缘到地平面的边缘内缩两个平面层间距 的 20 倍以上，可以有效降低向外辐射，即 20H 法则。如下图所示：同时，在 PCB 四周加上一些接地的过孔，形成接地过孔 防护盾，将噪声返回到地层，能减少对外的辐射。如下图所示：3. 同一排的过孔间距不小于电磁波波长 λ 的二十分之 一。实际布线时，过孔间距可以取 3mm 左右，足以屏蔽 1GHz 以下的电磁干扰。
