集邦科技今日发布调查报告指出，美国商务部近期基于《芯片法案》释出补贴细则，明文规定获补助者未来十年在中国、北韩、伊朗与俄罗斯等，将被限制包含先进制程与成熟制程在内的相关投资活动，且本次法案更新条款限制范畴将比出口禁令更广泛，恐进一步降低跨国半导体业者未来十年在中国的投资意愿。
集邦表示，美国《芯片法案》将使供应链去中化影响程度加剧。且随着日本、荷兰陆续宣布将加入制裁行列，恐导致同时可用于生产16纳米以下及40和28纳米等成熟制程的关键曝光设备深紫外光（DUV）被划入禁令范畴，再加上本次《芯片法案》限制，意即中系晶圆代工业者、跨国晶圆代工业者在中国的扩产计划，不论是先进或成熟制程皆可能受到程度不等的抑制。
集邦指出，2023年上半年开始，IC设计业者或因终端客户要求、自主风险规避等因素，陆续转单或新开案至台系晶圆代工业者，尤以成熟制程为生产主力的世界先进、 力积电明显受惠。对现阶段遭库存修正冲击、产能利用率低落的晶圆代工厂无疑为一大助益，预期至2023下半年至2024年对产能利用率的挹注将更显著。
台积电则在本次更新的法案中首当其冲，主要是因其在中美两地均有扩产计划所致。目前台积电在中国的扩产以28纳米为主，且已于2022年启动，扩产相关设备均已陆续移入，加上2022年10月后台积电已取得为期一年之相关设备进口许可，预计2023年中前将扩产完毕。
不过，据《芯片法案》新细则来看，台积电获美补贴后十年内，Fab16的16/12nm以及28/22nm产能扩充将受限，且当中85%产出须满足中国当地市场需求，加上美出口规范要求跨国晶圆代工业者需申请设备进口许可证等，此将降低台积电未来在中国的投资意愿。
DRAM供应方面，《芯片法案》新细则规定适用于18纳米nm以上制程为主，三大原厂中SK海力士（SK hynix）已计划将无锡厂DRAM产出比重已从48%降低至44%，新厂将拉回于南韩兴建；三星与美光在中国并无DRAM产能，未来扩产计划也会韩国、美国两地为主。
集邦表示，基于三大原厂的扩产计划预估，在韩国DRAM产能比重持续上升的同时，中国DRAM产能占全球比例将逐年降低，预估2023~2025年中国DRAM产能占全球比重将从14%下滑至12%。
至于三大原厂在中国NAND Flash布建，也会加重在非中国区比重，中国NAND Flash产能扩张及制程升级将受限，预估2023~2025年中国NAND Flash产能占全球比重将从31%跌至18%。
