前段时间，瀚天天成公布了8吋SiC外延（.点这里.），近日，国内外2家SiC外延企业也取得了重大进展：● 普兴电子：6英寸碳化硅外延月产能大幅提升，3300V产品已完成研发；● 意法半导体：8英寸SiC外延片的表面缺陷密度、厚度以及掺杂均匀性均通过了验证，与6英寸外延片相当。4月24日，据中国电科官微消息，近日，中电科6英寸碳化硅外延片产业化工作取得重大进展，6英寸中高压碳化硅外延片月产能力实现大幅提升。
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据悉，他们完成了6英寸3300V碳化硅外延材料研发。目前正积极与国产设备厂商合作开发生产装备，推动碳化硅核心装备国产化。去年11月，普兴电子新的外延材料产业基地第一片硅外延和碳化硅外延已相继“出炉”，后续将进行新品全尺寸检测评估并向客户提供验证样片。
该新产业基地建设项目于2021年9月启动，项目总投资金额为16.7亿元，一期项目投产后，将新购置各类外延生产及清洗检验设备共392台（套），预计可达到年产300万片8英寸硅外延片、36万片6英寸碳化硅外延产品的生产能力。近日，意法半导体发布文献称，他们在8英寸SiC外延方面取得了最新成果。
据介绍，该外延使用了意法半导体自己的8吋SiC 衬底，衬底是通过多线切割，通过CMP后的厚度为 500μm。
实验结果表明，意法半导体6吋和8吋SiC外延片的总可用面积分别为98.6%和95.8%，非常接近。
同时，该8吋外延片的表面缺陷密度、厚度以及掺杂均匀性均通过了验证，与6英寸外延片相当。不过，三角形缺陷的数量要高得多，特别是在晶圆的边缘，这方面还需进一步优化。
2个尺寸外延片提取的缺陷密度比较
这2种尺寸的外延层厚度变化都小于最大外延层厚度的5%（即小于0.3微米），掺杂均匀性分别为 2.0% 和 1.9%。获取相关文献，请加许若冰微信：hangjiashuo666。注：本文来源企业官网及相关媒体，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。
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