专用pd协议芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W选型

骊微电子科技 2023-04-23 16:33

PD快充协议是一种高速充电技术,能够快速给移动设备充电,并且不会产生过热等安全问题。而这种协议需要配合芯片才能实现快速充电,因此,在选择PD快充协议芯片时需要根据具体的使用场景以及需求进行选型,骊微电子推出18W/20W/35W/45W/65W/100W常用pd协议芯片方案。 


常用pd协议芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W选型  

36W和36W以内单C、单PD的非标市场主推XPD317系列(无VBUS MOS),采用 SOT23-6 封装,集成了 USB Type-C、USB Power Delivery(PD3.0)、PPS 的多协议端口控制器,为 AC-DC 适配器、车载充电器等设备提供高性价比的 USB Type-C 端口充电解决方案。


36W和36W以内单C非标市场可选XPD318/319系列(无VBUS MOS)和XPD320系列(外置VBUS MOS),XPD320支持QC2.0/3.0/3.0+、AFC、FCP、SCP、PD3.0和PPS等快充协议,最大输出功率高至36W。支持过压/欠压保护,CC1/CC2/DP/DM 过压保护,采用ESOP8封装,为 AC-DC 适配器、车载充电器等设备提供高性价比的USB Type-C 端口充电解决方案。

65W和65W以内单C过认证市场可选XPD720/721系列(内置VBUS MOS),XPD720应用在单个USB端口充电设备,集成了10mΩ VBUS通路功率开关管和10mΩ电流检测电阻,兼容前两代产品XPD618和XPD718,无需修改设计,直接升级到20W配置。


65W和65W以内A+C(共享电源)过认证市场可选XPD738/730系列和XPD938系列XPD738USB 是Type-C PD 和 Type-A 双口控制器,集成了10mΩ VBUS通路功率开关管和10mΩ电流检测电阻,应用在1C1A双端口充电设备,在A口连接苹果充电线但未接入苹果手机时,C口仍然有快充。


65W和65W以内2A+C(共享电源)过认证市场可选XPD977系列集成 10mΩ VBUS 通路功率开关管和内部放电通路,节省了外围器件,可以轻松通过 USB PD 认证测试,为 AC-DC适配器、移动电源、车载充电器等设备提供完整的 Type-C 和 Type-A 三端口充电解决方案。

65W和65W以内多口互联市场可选XPD737系列+XPD767系列、XPD92C系列和XPD930系列,多口PD快充充电器已经成为了时下热门的充电配件,为多口充电器内部复杂的电路设计做减法,可应用于多口快充充电器、多口车充、多口移动电源等产品的开发。


100W和100W以内多口互联市场可选XPD911,集成了 XPD-LINKTM 互联通信技术。通过 XPD-LINKTM 互联功能,XPD911 可以简单灵活地应用在多个 Type-C 和 Type-A 端口的充电方案中,为 AC-DC 适配器、智能排插等设备提供完整的 Type-C 和 Type-A 双端口充电解决方案。


100W和100W以内双C市场可选XPD912系列,集成双路CV/CC控制环路,具有多重保护功能,外围只需少量元器件。一颗XPM912即可实现双C口充电解决方案。


100W和100W以内2A1C和1A1C市场可选XPD913系列,支持 USB Type-A 和 Type-C 多口工作模式, 集成同步开关降压控制器,内置功率 MOS,为 AC-DC 适配器、智能排插等设备提供完整的 Type-C 和 Type-A三端口充电解决方案。

选择PD快充协议芯片,需要根据不同的应用场景和需求进行选型,以保证芯片能够高效、稳定地充电,并且不会产生过热等安全问题,更多常用pd协议芯片18W-100W选型技术方案产品手册及相关应用资料请向骊微电子申请。>>

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    王萌 2024-12-10 08:51 85浏览
  • 近日,搭载紫光展锐W517芯片平台的INMO GO2由影目科技正式推出。作为全球首款专为商务场景设计的智能翻译眼镜,INMO GO2 以“快、准、稳”三大核心优势,突破传统翻译产品局限,为全球商务人士带来高效、自然、稳定的跨语言交流体验。 INMO GO2内置的W517芯片,是紫光展锐4G旗舰级智能穿戴平台,采用四核处理器,具有高性能、低功耗的优势,内置超微高集成技术,采用先进工艺,计算能力相比同档位竞品提升4倍,强大的性能提供更加多样化的应用场景。【视频见P盘链接】 依托“
    紫光展锐 2024-12-11 11:50 44浏览
  •         霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子
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    时源芯微 2024-12-11 17:11 68浏览
  • 概述 通过前面的研究学习,已经可以在CycloneVGX器件中成功实现完整的TDC(或者说完整的TDL,即延时线),测试结果也比较满足,解决了超大BIN尺寸以及大量0尺寸BIN的问题,但是还是存在一些之前系列器件还未遇到的问题,这些问题将在本文中进行详细描述介绍。 在五代Cyclone器件内部系统时钟受限的情况下,意味着大量逻辑资源将被浪费在于实现较大长度的TDL上面。是否可以找到方法可以对此前TDL的长度进行优化呢?本文还将探讨这个问题。TDC前段BIN颗粒堵塞问题分析 将延时链在逻辑中实现后
    coyoo 2024-12-10 13:28 101浏览
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