来源：扬杰科技公告
4月20日晚间，扬杰科技发布公告，已于4月18日与扬州市邗江区政府签署《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，拟在当地投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目，总投资约10亿元。
合同的主要内容
1、项目内容
（1）乙方拟在甲方辖区投资新建 6 英寸碳化硅晶圆生产线项目，项目总投 资约 10 亿元，分两期实施建设，项目全部建成投产后，形成碳化硅 6 英寸晶圆 产能 5000 片/月。
（2）由乙方在甲方辖区内注册项目公司，项目公司负责项目开发、建设和 运营，项目公司总投资、经营范围等按双方约定进行。
2、项目场所
项目位于扬州市邗江区汽车产业园新甘泉东路 56 号。项目新建厂房 27,000 平方米，其中高洁净车间（光刻区十级、操作区百级）的净化装修预计在 4,500 平方米。
扬杰科技表示，作为第三代半导体材料的核心，碳化硅与传统的硅半导体相比，具有宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，可以在更高温度、更高电压、更高频率和更高辐射环境下工作，并具有更高的耐用性和可靠性，在汽车、工业、 IT 及消费电子等多个领域的应用中有替代硅基器件的潜力，未来前景广阔。近年来，在全球“碳达峰、碳中和”的大背景下，新能源汽车、光伏等市场景气度高企，对碳化硅产品的市场需求日益强烈，驱动碳化硅器件加速导入和发展，进一步打开了碳化硅的市场空间。
报告显示，扬杰科技较早地布局了第三代半导体产业，已涉足碳化硅产品研发设计多年，形 成了多项专利等知识产权，已成功开发并向市场推出 SiC 模块及 650V SiC SBD、 1200V 系列 SiC SBD 全系列产品，SiC Mosfet 已取得关键性进展，后续拟进一步 布局 6-8 英寸碳化硅芯片生产线建设。
若本次合作框架合同能实施落地，有利于充分发挥公司的技术研发、运营管理及客户资源等核心优势，及扬州产业支持政策、区位条件等优势，帮助公司抓住碳化硅市场发展的良好机遇，加速提升公司碳化硅产品的技术水平和实现产品升级，有助于将公司打造成为碳化硅领域具有行业影响力的上市公司，推动公司积极转型升级向高端制造业迈进，为功率器件国产化贡献力量。
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