BCD指的是Bipolar-CMOS-DMOS，其中的Bipolar是用于高精度处理模拟信号的双极晶体管，CMOS是用于设计数字控制电路的互补金属氧化物半导体，DMOS是用于开发电源和高压开关器件的双扩散金属氧化物半导体。
几纳米跟BCD工艺的几纳米完全同维度
几纳米跟BCD工艺的几纳米完全是两个维度和不的事物，没有任何可比性。
当下，BCD工艺的主要发展方向有三种，分别是：
1、高压BCD方向
电压范围是500-700瓦，利用轻掺杂的外延层制作器件，使表面电场分布更加平坦从而改善表面击穿的特性，使击穿发生在体内而非表面,从而提高器件的击穿电压，可用于电子照明和工业应用的功率控制。
2、高功率BCD方向
电压范围是40-90V，主要的应用为汽车电子。它的需求特点是大电流驱动能力、中等电压，而控制电路往往比较简单。
3、高密度BCD方向
主要电压范围是5-50瓦，主要用于汽车电子应用。
从1985年BCD推出工艺，至今已经过去35年并经历了九次技术迭代，产出500万片晶圆，售出400亿颗芯片，仅2020年就售出近30亿颗芯片，第十代BCD技术即将开始投产。
那么经过30多年的发展，意法半导体不断升级BCD工艺，从第一代的4微米发展到了第九代的0.11微米以及第十代的90纳米。
经过35年的发展，意法半导体开发了一系列对全球功率IC影响深远的BCD工艺，如BCD3（1.2微米）、BCD4（0.8微米）、BCD5（0.6微米）。
意法半导体目前提供三种主要的BCD技术，包括BCD6（0.35微米）/BCD6s（0.32微米）、BCD8（0.18微米）/BCD8s（0.16微米和BCD9（0.13微米）/BCD9s（0.11微米），其第十代BCD工艺将采用90纳米。
BCD6和BCD8还提供SOI工艺选项。
在BCD工艺方面，我国各晶圆制造公司BCD工艺发展情况，其中在去年6月份，晶圆大厂华虹半导体就宣布，其 90nm BCD工艺在华虹无锡12英寸生产线已实现规模量产。
华虹半导体
华虹半导体基于成熟的CMOS工艺平台，目前提供的BCD工艺平台电压涵盖1.8V到700V，工艺节点涵盖90纳米/0.13微米/0.18微米/0.35微米/0.5微米/0.8微米/1.0微米，在0.5微米、0.35微米、0.18微米节点上积累了丰富的量产经验。未来，华虹半导体将继续发挥在BCD和eNVM特色工艺上的技术优势，提供二者的集成方案，为智能化电源产品，打造高端电源管理系统级芯片(SoC)
华润微
华润微基于自有的主流工艺平台，在功率模拟工艺技术方面推出的BCD工艺解决方案，广泛应用于各新兴市场，包括电源管理、LED驱动、汽车电子以及音频电路等。
华润微的BCD工艺平台始于2007年推出的700V CDMOS工艺，2011年推出700V HV BCD工艺，2013年完成600V HVIC工艺平台研发，到2020年一共完成了五代硅基700V HV BCD工艺的研发和量产。华润微BCD工艺平台电压涵盖5V到700V，工艺节点涵盖0.18微米/0.25微米/0.8微米/1.0微米，可满足高电压、高精度、高密度不同应用的全方位需求，同步提供200-600V SOI基BCD工艺选项。
士兰微
在BCD工艺技术平台研发方面，士兰微依托于5/6英寸、8英寸和12英寸晶圆生产线，建立了新产品和新工艺技术研发团队。
基于士兰集成的5/6英寸生产线开发0.8微米和0.6微米的BCD电路工艺平台已经稳定运行15年，2007年1月士兰微发布首款采用士兰集成BCD工艺制造的高效率功率LED驱动电路。
基于士兰集昕8英寸生产线的0.25微米的BCD电路工艺平台和0.18微米的BCD电路工艺平台相继建成，开始批量产出。
基于士兰集科12英寸生产线BCD电路工艺平台也在研制中。
中芯国际
中芯国际有超过10年的模拟芯片/电源管理芯片大规模生产经验，技术涵盖了0.35微米到0.15微米。除了保持面向手机和消费类电子的低压BCD工艺平台持续升级外，针对工业和汽车应用的中高压BCD平台和车载BCD平台也在开发中，同时开展了90纳米BCD工艺平台开发，为高数字密度和低导通电阻的电源管理芯片提供解决方案。
最近的中芯国际55nmBCD工艺的消息，来自近日中芯国际发布的2022半年报，其中提到，55纳米BCD工艺（高压显示驱动平台）已经完成平台开发，并导入客户，实现批量生产。
BCD工艺的主要应用在电源管理、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域。近年来，全球智能化的发展速度越来越快，在显示驱动和电源管理两大市场驱动下，BCD工艺备受关注，有越来越多的公司进入该领域，进行相关工艺和产品的开发。所以，BCD工艺作为一种先进的单片集成工艺技术，具有广阔的市场前景。
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