前段时间，老美拉着日本、荷兰组成‘封锁联盟’，限制中企获得DUV设备。而后，老美又考虑停止向高通、英特尔等公司停止发放许可证，以此限制华为获得4G芯片、WIFI6、WIFI7等产品、技术。
虽然老美对国内半导体企业采取一轮又一轮的制裁，但国内半导体技术并没有停滞不前，在各个领域实现技术突破。
国产半导体技术的突破！
在老美的打压下，国产半导体技术实现多项突破，这让人感到欣慰。
第一，哈工大团队的高速超精密激光干涉仪研制成功，该干涉仪能解决量子化计算基准卡脖子问题，并能对对7nm光刻机提供技术储备。
第二，国产首款量子芯片生产线在合肥问世，这让我国在量子芯片领域达到世界主流水平。在这条生产线的加持下，‘悟空量子芯片’已经在调试，相信在不久的将来这款量子芯片将会出现在大众的视野里。
第三，大族激光的接近式光刻机已经投入市场，这款光刻机的分辨率在3um—5um，专注于分离器件领域。
第四，上海微电子向昆山同兴达交付了2台SEMM光刻机，这预示着我国自主研发生产的光刻机拥有广大的市场空间。
第五，长电科技突破了4nm封装技术，在芯片封装领域，我国已经达到世界主流水平。
……
奇怪的现象出现了！
诸如半导体技术上的突破消息，我们可以在网上看到很多，这让人有一种感觉：我们的半导体技术已经达到世界一流水准，可以无惧国外的技术限制。
其实不然，当国产半导体技术实现突破后，一个奇怪的现象还是出现了。
首先，我国的量子芯片仍未量产上市，量子芯片依然还停留在开发阶段。
其次，我国的光刻机水准依然停留在90nm水准。如果ASML不给中芯国际等公司提供工艺先进的DUV光刻机，那么国内很难找到替代品。
再者，哈工大的超精度激光干涉仪为7nm光刻机提供技术储备，但这依然无法解决7nm光刻机的核心工艺。我们离设计、生产7nm光刻机还有相当长的一段路程要走。
最后，国内手机厂商、PC厂商依然要依赖高通、英特尔等厂商提供高精度芯片，比如华为依然需要高通提供4G芯片，以此维持4G手机运营。
不难看出，虽然我们在半导体技术实现多项技术突破，但这些技术并没有解决我们的燃眉之急。我们现在面临的情况依然是被‘卡脖子’，这让人颇为无奈。
为什么技术突破后，局面仍然没得到改变？
那么问题来了，为什么国内半导体技术实现多项突破后，我们的整体局面仍然没有太大改变呢？我觉得有以下几个原因。
其一，我们的很多半导体技术还停留在实验室阶段，离成熟工艺还有相当长一段路程。
其二，虽然我们在半导体技术上实现多项突破，但半导体产业的发展需要十几年、乃至几十年的技术积累，靠10个、100个技术的突破并不能改变现状。
要知道EUV光刻机的组成部件就超过10万个，这里面的技术积累是以‘万’作为单位，因此半导体产业的发展需要时间的沉淀才能发展起来。
其三，虽然我们每年新增很多半导体企业，但这些半导体企业有相当一部分秉持着‘贸工技’思想，一心想赚快钱，这导致我们的半导体产业发展不均衡、发展缓慢。据悉，仅2022年，我国就有接近5000家半导体企业‘消失’，这表明了我国半导体产业发展还不够成熟。
客观的讲，我国半导体产业发展成就有目共睹。从麒麟芯片研发、28nm芯片工艺量产、到4nm封装技术突破、龙芯3A6000研发成功……，我们用了十几年的时间就走完别人30、40年走完的路程。
即便如此，我们的半导体产业的基础还较为薄弱，和国外半导体强国有不小的差距。在此，希望国内半导体企业多一份沉稳，少一份取巧，脚踏实地发展半导体产业。唯有如此，我们才能在半导体产业的发展中占据一席之地。
