今天权威专家邀您云端观看“GaN功率应用，厚积薄发”线上研讨会！

DT半导体材料 2023-04-13 09:27

TI MCU方案：能源基础设施实时控制 【应用手册】TI 全新MCU及C29内核的能源设施应用方案

尽管近三年来世界经济因全球疫情和地缘政治受到重挫，但GaN功率半导体已成为多个细分市场的首选产品解决方案，如快充头及适配器等消费电子。2023年又将是GaN一个具有里程碑意义的一年，GaN正向数据中心、工业和电动汽车领域渗透。GaN功率半导体独特地解决着这些行业中能效问题，以适切“双碳战略”的全球共识。

Yole在其《Power GaN 2022：2022年市场和技术报告》中也预测，采用该技术的市场到2027年将达到 20 亿美元，并在将来达到更高的60亿美元空间。GaN快充头正在从流行的65W向更高功率100-180W发展，并向家电、大屏幕电视、电动自行车和电动工具等新应用领域渗透。随着数据中心升级处理器以优化其实现盈利能力和可持续性目标的能力，GaN逐渐成为优选解决方案。光伏逆变器、储能DC-DC 及车载OBC&DC-DC也都处在快速设计及认证之中。

但是氮化镓的市场价值从量变到质变的“拐点”到来还面临着诸多的科学和技术挑战，如衬底选择、器件路线、可靠性、新拓扑结构、封装形式、IC集成度、应用场景匹配及产业生态和供应链成本等，还需要整个产业上下游共同的努力。因此ACT雅时国际商讯&化合物半导体杂志联合推出“GaN功率应用，厚积薄发”线上研讨会，以期推动GaN功率应用产业的加速成长。

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时间截至4月13日

大会议程»

13:40 - 13:50	嘉宾登录
13:50 - 14:00	嘉宾介绍
14:00 - 14:25	GaN中高压功率器件产业化进展及发展趋势范谦博士 - 苏州汉骅半导体有限公司 - 副总裁
14:25 - 14:30	互动问答
14:30 - 14:55	Si基GaN器件及系统研究与产业前景于洪宇 - 南方科技大学 - 南方科技大学深港微电子学院院长、教授
14:55 - 15:00	互动问答
15:00 - 15:25	氮化镓功率器件结构设计刘勇 - 成都氮矽科技有限公司 - 资深GaN HEMT器件设计总监
15:25 - 15:30	互动问答
15:30 - 15:55	爱发科对于射频和功率器件领域GaN- HEMT的刻蚀解决方案周燕萍 - 爱发科商贸（上海）有限公司 - 副部长
15:55 - 16:00	互动问答
16:00	幸运抽奖

（议程请以会议当天公布为准）

演讲嘉宾»

范谦博士

苏州汉骅半导体
副总裁

演讲题目：GaN中高压功率器件产业化进展及发展趋势

GaN HEMT功率器件已被广泛应用于消费电子、数据中心、工业机电、汽车电子、光伏逆变、智能电网等应用领域中。可以大致分为两种主要器件类型，E-mode HEMT增强型器件，具有高速、高功率、低噪声等优势，主要应用在无线通信、激光雷达、天文学观测、医疗诊断等需要高频、高灵敏度优异性能的领域。D-mode耗尽型器件，主要在电源管理AC/DC、DC/DC转换、车载电子等，漏电流低，驱动电路简单。本演讲总结两种模式工作下各自的工作特性和区别，并对应用市场做了总结及展望，以及本公司的技术优势能支持到客户在各细分领域的应用中，保持竞争优势和技术壁垒。

讲师介绍：

电子与计算机工程博士,目前在苏州汉骅半导体有限公司担任副总裁一职，超过10年以上世界顶级产业链内企业工作经验，曾任核心技术及管理岗位。

洪宇
南方科技大学
南方科技大学深港微电子学院院长、教授

演讲题目：Si基GaN器件及系统研究与产业前景

以GaN为代表的第三代半导体材料及器件具有优良的高温高压及高频特性，被认为是下一代电力电子和微波射频技术的核心。欧美日等均将第三代半导体纳入国家发展战略规划，中国第三代半导体产业亦形成了以长三角、珠三角等为代表的产业集群，并在全国布局国家第三代半导体技术创新中心。近年来，报告人在Si基GaN器件及其功率和射频系统应用方向取得了一系列研究成果：1）先进Si基GaN器件工艺：如源漏欧姆接触等。2) GaN功率器件及电源系统开发：采用PFC技术，开发300-4000W的高效工业电源。3) GaN射频器件及5G小基站射频前端：可应用于微小基站的高回退效率Doherty功率放大器。4）GaN气体传感器：可在高温环境中实现对CO, H2S, H2等气体及颗粒物的高灵敏度探测。

讲师介绍

南方科技大学深港微电子学院院长/教授，主要研究工作集中在集成电路工艺与器件方面，包括CMOS、新型超高密度存储器、GaN器件与系统集成（GaN HEMT）、及电子陶瓷方面。发表学术论文近450篇，其中近250余篇被SCI收录，总他引次数近5900次，H影响因子为46，编辑2本书籍并撰写了4本专业书籍的章节，并发表/被授予近20项美国/欧洲专利以及80项以上国内专利。成功筹建南科大深港微电子学院（被教育部批准为国家示范性微电子学院）、未来通信集成电路教育部工程研究中心、广东省GaN器件工程技术中心、广东省三维集成工程研究中心和深圳市第三代半导体重点实验室。

刘勇
成都氮矽科技
资深GaN HEMT器件设计总监

演讲题目：氮化镓功率器件结构设计

氮化镓功率器件的电性参数主要受外延、器件设计、工艺和封装等影响。其中器件设计是影响器件电性参数的核心，而对于器件设计而言结构设计是关键。合理的器件结构可以保证器件目标电性参数的实现，可以节省芯片面积，可以提高器件性能，可以保证足够的工艺窗口。目前氮化镓功率器件结构设计纷繁复杂，主流的商用器件结构主要包括pGaN栅结构、场板结构等。超结、极化超结、垂直结构等新器件结构虽然性能优异，但还需要优化工艺实现。合封氮化镓功率器件具有寄生电感低、开关速度块和功率损耗低等优点将成为主流。

讲师介绍

氮化镓功率器件专家，现任成都氮矽科技有限公司资深GaN HEMT器件设计总监。超过10年的科研和产业经验，具有丰富的理论基础和实践经验。硕博期间和工作期间承担过多项GaN功率器件项目和产品开发，已发表SCI论文十余篇，研发低压和高压GaN功率器件数款。

周燕萍
爱发科商贸
副部长

演讲题目：爱发科对于射频和功率器件领域GaN- HEMT的刻蚀解决方案

近年来随着新能源汽车、5G通信等领域的不断发展，半导体器件在高温、高压、高频下的工作需求也在不断提升。氮化镓GaN作为第三代宽禁带半导体材料，因其高电子饱和速率、高临界电场、高导热率、耐高温、化学性质稳定等优异特性逐渐成为研究热点。GaN基HEMT (高电子迁移率晶体管)器件不仅拥有上述优异的特性，而且得益于高迁移率二维电子气(2DEG)的存在，还有着高电流密度和低导通电阻的优点，在RF通信、车载OBC等领域扮演着重要角色。爱发科通过多年研究，对于GaN-HEMT器件制备中遇到的技术难点，比如低速率、高选择比刻蚀等，都可以提供相对应的解决方案。

讲师介绍

2008年进入爱发科集团，从事蒸发、PECVD和刻蚀工艺的研究。2010年开始，专职开始刻蚀工艺的研究。研究方向有：功率器件和射频相关SiC-MOSFET、BAW、SAW、GaN-HEMT；AR/VR相关垂直光栅等。先后在《中国激光》、《真空科学与技术学报》、《传感器与微系统》等发表相关研究报告。

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