摘要: Ga2O3是一种新型宽禁带半导体材料，禁带宽度约为 4.8 eV，临界击穿电场理论上可高达 8 MV/cm，Baliga 优值超过 3 000，因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga2O3是继 SiC和 GaN 之后制作高性能半导体器件的优选材料，近年来受到了广泛的关注。介绍了 Ga2O3材料的基本物理性质，分析了Ga2O3基肖特基势垒二极管 ( SBD) 的优势及存在的问题。重点从器件工艺、结构和边缘终端技术等角度评述了优化 Ga2O3基 SBD 性能的方法，并对 Ga2O3基 SBD 的进一步发展趋势进行了展望。
关键词: 氧化镓 ( Ga2O3) ; 肖特基势垒二极管 ( SBD) ; 外延; 边缘终端; 场板
参考文献略
题目：氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展
王歌1，2 ，杨帆1，2，* ，王方圆1，2 ，杜浩毓1，2 ，王晓龙1，2 ，檀柏梅1，2
( 1. 河北工业大学 电子信息工程学院，天津 300130;
2. 天津市电子材料与器件重点实验室，天津 300130)
DOI: 10．13290 /j．cnki．bdtjs．2022．12．002
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