作为第三代半导体材料，氮化镓(GaN)的研究和应用已经有20多年的历史，但直到最近几年才开始凸显出其商业化的发展前景，5G更是成为氮化镓(GaN)快速进入商用化的主要驱动力。
随着5G的到来，通讯频段向高频迁移，MIMO技术的广泛应用，基站和通信设备需要更高频段更高效率射频器件的支持。GaN射频功率器件高功率密度、高效率、高截止频率以及宽带宽的优势在微波射频领域受到越来越多的瞩目。
《电子工程专辑》主分析师顾正书将邀请Qorvo氮化镓(GaN)技术专家王一楠和5G系统设计方案和营销专家郝宁，一起讨论实现5G的关键技术—氮化镓（GaN）在5G基站和通信系统应用领域的市场机遇及面临的设计挑战。
时间：2020年06月17日 10:00-11:30
演讲人：王一楠 （Qorvo高级应用工程师）
王先生于2018年加入Qorvo，担任高级应用工程师，拥有华中科技大学电子专业学士及硕士学位及荷兰Delft科技大学微电子专业硕士学位，同时也有数十年射频及模拟电子相关工作经验，尤其擅长复合物半导体及大功率器件的产品应用和开发。加入Qorvo之前，曾任职NXP等半导体制造生产厂商。
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