电气化正在推动SiC半导体的增长，由于其具备快速开关能力、更低的功率损耗和更高的温度性能，电动汽车、可持续发展和工业等大型细分市场都转向SiC电源解决方案。为了帮助电源设计工程师轻松、快速和放心地过渡到SiC电源解决方案，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出MPLAB® SiC电源模拟器，可在将设计实现为硬件之前，快速评估各种拓扑结构中的Microchip SiC电源器件和模块。
Microchip的MPLAB SiC电源模拟器是与Plexim合作设计的基于PLECS的软件环境，提供在线免费工具，无需购买模拟许可证。MPLAB SiC电源模拟器加速了各种基于SiC的电源拓扑结构的设计过程。客户可以放心地在设计阶段对SiC解决方案进行基准测试和评估。
Microchip碳化硅业务部副总裁Clayton Pillion表示：“追求SiC技术的客户现在可以使用基于网络的MPLAB SiC电源模拟器，对设计进行基准测试并选择最适合的Microchip SiC产品。凭借在碳化硅领域二十多年的深耕，Microchip可为客户提供多种多样的SiC电源解决方案，还可以很方便地使用其他Microchip配套器件进行设计。”
新工具通过提供全面的SiC评估，不仅可以提供有价值的基准数据，还可以减少元件选择时间，从而加快产品上市速度。如果一位电源电子设计师要在25 mΩ和40 mΩ SiC MOSFET之间选择三相有源前端转换器，就可以立即得到模拟结果，如器件的平均功率耗散和峰值结温。
MPLAB SiC电源模拟器是OEM厂商为电动出行、可持续发展和工业应用设计电源系统的重要设计工具，相关应用包括电动汽车、板上/板下充电、电源和电池储能系统。
Microchip的SiC产品组合包括具有最低寄生电感（<2.9 nH）的行业领先的电源模块，以及具有最高额定电流的行业领先的3.3 kV分立式MOSFET和二极管。组合内其他产品还包括700V、1200V和1700V的裸片、分立器件和模块，以及AgileSwitch®可配置数字栅极驱动器。
这些SiC器件具有耐用性和优异性能，可提供预计超过100年的栅极氧化物寿命和无退化体二极管。在大功率应用中，SiC技术比硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有更高的系统效率、功率密度和温度稳定性。
原文转自Microchip微芯
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