2023
03·28
行家说快讯：
今年以来，随着市场关注度逐步提高，Micro LED又迎来新的变化，相关技术不断优化更新。
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01
Kubos半导体正通过立方GaN，
解决红色Micro LED发光效率衰减问题
据外媒eetimes报道，近期，总部位于英国的初创公司Kubos半导体提出了一种采用立方GaN的解决方案，有效抑制了强极化场对GaN基红色LED的发光效率的影响。
过去，大多数器件制造商开始选择使用磷化铟镓（InGaP）半导体材料来制造红色LED器件。可当Micro LED应用及其扩展问题出现后，遇到新的挑战。
虽然在解决这个问题上，从过去到现在，不同的人有不同的想法，并尝试各种不同的方案。
但Kubos半导体仍然坚持认为，通用材料系统是蓝色、绿色和红色Micro LED的最终前进之路，而这种可以赢得未来胜利的材料是另一种GaN。
据悉，Kubos半导体创始人David Wallis多年来一直在研究一种立方GaN。由于立方GaN具有更高的晶体对称性，这种GaN变体能够不受强极化场的影响，有效抑制了强极化场对GaN基红色LED的发光效率的影响。
通过晶片探测测试的150毫米GaN LED晶圆
来源：Kubos 半导体
另外，Kubos半导体在GaN生长及工艺上有相应的方案。据O'Brien介绍，硅衬底可以与CMOS工艺兼容，由于薄SiC层和立方GaN之间的低晶格失配，我们让GaN的生长进入立方状态。另随着SiC功率器件的商业化，这种SiC薄层的成本将显著降低，目前他们已经开始实现使用量子点或在蓝宝石衬底上生长GaN的Micro LED制造方法。
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值得注意的是，Kubos半导体打算在更大的200毫米硅基碳化硅晶圆上生长立方GaN，根据O'Brien的说法，这是“真正的最佳成本点”。
另外，Kubos半导体最近制造了一款50微米直径的立方GaN非封装Micro LED芯片，它可以发射红光。他们希望通过该产品证明：使用立方GaN方案制造更长波长Micro LED是可能的。
目前，Kubos半导体正在增加其晶圆供应，以便支持客户定制其专有红色Micro LED芯片。据O'Brien的估计，这些初始LED器件的外部量子效率约为3%。
O'Brien表示，接近20%的发光效率目标未来是可实现的。且在未来，这种Micro LED技术将在延长电池寿命方面变得非常有意义，并相信这一目标将5年内实现。
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02
KIMM采用钙钛矿量子点，
制造全彩柔性Micro LED
据国外网站micro-info报道，韩国 KIMM 研究所的研究人员使用蓝色 LED 和钙钛矿量子点颜色转换层制造了全彩色柔性Micro LED设备。展示的设备采用 1 毫米像素间距 LED (25.4 PPI)，可以弯曲半径为 5 毫米而不会损坏。
值得注意的是，研究人员使用钙钛矿-QD 和硅氧烷复合材料，使用配体交换 PQD 与硅烷复合材料，然后通过添加含卤素阴离子的盐进行表面活化。
由于这种表面活化，研究人员表示，可以使用不会损坏 PQD 的非极性有机溶剂，用硅烷配体构建 PQD 表面。而具有硅烷化合物的配体交换的 PQD 在硅氧烷基质中表现出高分散性和优异的大气稳定性。
资料显示，韩国机械与材料研究所（KIMM）成立于1976年，是韩国科学与信息通信技术部下属机构，多年来KIMM一直进行着Micro LED技术的研发。去年3月，KIMM成功研发了一种无失真、可拉伸的Micro LED元显示技术（Meta-display technology），在图像不失真的情况下，显示单元最多可拉伸 25%。
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