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1、不知道有没有朋友发现PMOS比NMOS导通电阻大？
如下面这两个型号：
1）SI2301DS/PMOS/SOT-23
2）SI2302DS/NMOS/SOT-23
这两个型号制作工艺差不多，但是明显NMOS比PMOS导通电阻小，导通电阻小流过相同电流时发热量小，因此NMOS最大电流比PMOS要大一些，见上图。那么为什么NMOS的导通电阻小呢？下面详细介绍一下。
2、先来说一下半导体：
1）硅单质
我们都知道硅原子的最外层电子有4个电子，如下图所示，硅原子之间互相共享4个电子，形成了四个共价键，形成一种稳定结构。
2）P（positive）型半导体
把硼等3价元素作为杂质掺入硅单质中，这种混合体就叫P型半导体，硼原子最外层有3个电子，和硅原子混合后，会有“空穴”产生，空穴能够承载电子，这种空穴被称作载流子，因此这种P型半导体是能够导电的。
空穴在电场作用下运动方式：
3）N（negative）型半导体
把磷等5价元素作为杂质掺入硅单质中，这种混合体就叫N型半导体，磷原子最外层有5个电子，和硅原子混合后，会有多余的自由电子剩余，多余的自由电子也被称作载流子，因此这种N型半导体也是能够导电的。
电子在电场作用下运动方式：
3、PMOS比NMOS导通电阻大的原因
电子导电很好理解，但是空穴导电很多人就蒙圈了，我们经常看到的说法是，空穴本身不是粒子不导电，空穴导电的原因是电子的反向移动，其实这么说有些牵强，并不能完全那么等效。N型半导体富含电子，且电子在共价键之外，施加外部电场后电子在电场力的作用下定向移动，电子移动不受共价键束缚。P型半导体富含空穴，电子在P型半导体内部流动时一旦落入空穴中，空穴正好在共价键上，进入空穴的电子如果要脱离空穴，需要摆脱共价键的束缚，必须克服共价键的束缚力做功，因此在P型半导体中电子迁移率低一些，需要施加更强的电场才能实现像N型半导体电子的迁移率，如果不改变电场强度，则需要增加P型半导体的面积提高导电能力。
综上所述，迁移率低是PMOS管导通电阻大的主要原因。
4、介绍一下半导体的迁移率与掺杂浓度的关系
虚线为N型半导体，实线为P型半导体，由此可见相同掺杂浓度下，N型半导体的迁移率高于P型半导体，也就是说在相同条件下，N型半导体导电能力强。
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