ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。
ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点
■ 浮动工作电压可达600V
■ 拉灌电流典型值210mA/360mA
■ 兼容3.3V/5V的输入逻辑电平
■ dV/dt抗干扰能力±50 V/nsec
■ 芯片工作电压范围10V~20V
■ VCC和VBS具有欠压保护功能
■ 防直通逻辑保护，死区时间典型值520ns
■ 所有通道延时匹配功能
IR2104国产替代芯片ID7U603SEC-R1可用于驱动2个N型功率MOSFET和IGBT构成的半桥拓扑结构，ID7U603SEC-R1是一块驱动芯片只能用于控制H桥一侧的2个MOS管，因此采用半桥驱动芯片时，需要两块该芯片才能控制一个完整的H桥。
ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1 600V高压半桥栅极驱动浮动工作电压可达600V，10-20V 宽范围工作电压范围，输入兼容 3.3V、5V 逻辑工作电平，拉灌电流典型值210mA/360mA，具有防直通保护及欠压保护功能，可兼容代换IR2104，典型应用于高压风机和泵、步进马达等领域，更多国产替料ID7U603规格书、电路图等资料请向骊微电子申请。>>
