英飞凌推出面向辅助电源的1700V SiC MOSFET产品组合，该辅助电源主要为三相电源系统的控制逻辑、显示和冷却风扇供电。如今，业界可为这种低功率应用（单端反激式拓扑）使用高达1000VDC的输入电压。1700V的SiC MOSFET消除了对电压应力裕量和电源可靠性的设计顾虑。与1500V Si MOSFET相比，SiC MOSFET带来了更低的导通电阻和器件电容，减少了50%以上的损耗，自然对流冷却，无需额外散热器，从而实现了紧凑设计。全新的沟槽1700V CoolSiC™ MOSFET具有+12V/0V驱动电压，兼容通用PWM控制芯片，针对反激式拓扑进行了优化，无需栅极驱动器。新推出的D2PAK-7L产品组合可满足1700V安全要求，具有>7mm的爬电距离和电气间隙，最大限度地简化了系统中的隔离设计。
优势
1700V SiC MOSFET高效地实现了单端反激式拓扑电源设计
D2PAK-7L封装SiC MOSFET直接焊接在PCB上，自然对流冷却，无需额外散热器
通过增加封装的爬电距离和电气间隙，简化了隔离设计
降低了系统复杂性
高功率密度
特性
针对反激式拓扑进行了优化
开关损耗极低
12V/0V门级驱动电压，兼容通用PWM控制芯片
完全可控的dV/dt，针对EMI进行优化
D2PAK-7L封装增加了爬电距离和电气间隙（> 7mm）
竞争优势
英飞凌CoolSiC™沟槽技术具有出色的门级氧化层可靠性
针对反激式拓扑进行了优化：+12V/0V门级驱动电压，兼容通用PWM控制芯片
具有1700V器件中最低的结电容与门极电荷
门极阈值电压：VGS(th) >4V
全新D2PAK-7L封装增加了爬电距离和电气间隙，可满足1700V安全要求
目标应用
太阳能逆变器
工业驱动
储能系统
电动汽车快速充电
开关电源
典型应用电路
产品型号
关于英飞凌
英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。
英飞凌将业务成功与社会责任结合在一起，致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。半导体虽几乎看不到，但它已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。不论在电力生产、传输还是利用等方面，英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外，它们在保护数据通信，提高道路交通安全性，降低车辆的二氧化碳排放等领域同样功不可没。
