面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件

DT半导体材料 2023-03-13 18:00

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近日，中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心刘新宇研究员、黄森研究员团队针对如何实现增强型GaN基功率电子器件问题入手，进行总结与讨论，相关文章以“面向下一代 GaN 功率技术的超薄势垒 AlGaN/GaN 异质结功率器件”为题，发表在《电子与封装》上。

摘要与关键词

AlGaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点，在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手，重点介绍了采用超薄势垒AlGaN(小于6 nm)/GaN异质结实现无需刻蚀AlGaN势垒层的GaN基增强型器件的物理机理和实现方法。同时介绍了在超薄势垒AlGaN/GaN异质结构上实现增强型/耗尽型绝缘栅高电子迁移率晶体管单片集成的研究进展，进一步论证了在大尺寸Si基AlGaN/GaN超薄势垒平台上同片集成射频功率放大器、整流二极管、功率三极管等器件的可行性，为Si基GaN射频器件、功率器件、驱动和控制电路的单片集成奠定了技术基础。

关键词：氮化镓；功率电子器件；AlGaN/GaN异质结；超薄势垒；增强型；功率集成

文章信息

黄森，张寒，郭富强，等. 面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件[J]. 电子与封装，2023，23（1）：010102.

DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0021

作者简介：黄森（1980—），男，湖北随州人，博士，研究员，主要研究方向为Ⅲ族氮化物半导体功率和射频器件的先进制备工艺和器件物理。

基金项目：中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC012)；国家自然科学基金项目(62074161，6221101004，62004213，U20A20208)；国家重点研发计划(2018YFE0125700)；北京市科技计划国际科技合作项目(Z201100008420009，Z211100007921018)

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