关于MOS管米勒效应，前面已经发了5篇：
MOS管的米勒效应（1）
MOS管的米勒效应（2）
MOS管的米勒效应(3)--如何减小米勒平台
MOS管的米勒效应(4)--文末彩蛋，求锤
MOS管的米勒效应(5)--如何预防寄生导通
其中，在第4篇中提到了在米勒平台仿真中遇到的问题，依然没有解开。
仿真是这样：Id在米勒平台期间仍在上升。在米勒平台结束时，漏极电流才达到最大值。老外实测的波形和仿真结果一致，具体可以查看第4篇文章链接。
Onsemi技术资料是那样：漏极电流Id是在t2时刻达到最大值，在米勒平台期间（t2-t3时间段）Id基本保持不变。
现在仿真/实测结果和理论有些冲突，这个疑问还没有解开。
现在面向大家，征集问题的答案，答对有奖励。
奖励内容：《人工智能数学基础》全新正版纸质书
奖品数量：4本
参与方式：在《MOS管的米勒效应(4)--文末彩蛋，求锤》文章下面留言，请解释以下问题：
问题①：仿真/实测结果和Onsemi文档内的图有冲突，为什么不一样？
问题②：如何才能仿真出Onsemi文档内的波形？请给出具体修改意见。
回答的颗粒度越细越好。注意不是在本文下面留言！
留言截止时间：3月10日12:00
评奖原则：留言内容，我会逐一确认。以回答问题的质量为首要评奖原则，两题全答对，享有优先权，其次是按先后顺序。前4位回答正确的小伙伴，将分别赠送《人工智能数学基础》全新纸质书籍1本，包邮到家！
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【内容简介】
本书以零基础讲解为宗旨，面向学习数据科学与人工智能的读者，通俗地讲解每一个知识点，旨在帮助读者快速打下数学基础。
全书分为 4 篇，共 17 章。其中第 1 篇为数学知识基础篇，主要讲述了高等数学基础、微积分、泰勒公式与拉格朗日乘子法；第 2 篇为数学知识核心篇，主要讲述了线性代数基础、特征值与矩阵分解、概率论基础、随机变量与概率估计；第 3 篇为数学知识提高篇，主要讲述了数据科学的几种分布、核函数变换、熵与激活函数；第 4 篇为数学知识应用篇，主要讲述了回归分析、假设检验、相关分析、方差分析、聚类分析、贝叶斯分析等内容。
【作者简介】
唐宇迪，计算机专业博士，网易云课堂人工智能认证行家，51CTO学院讲师，CSDN博客专家。
李琳，河南工业大学副教授，在软件工程、机器学习、人工智能和模式识别等领域有深入研究。
侯惠芳，教授，解放军信息工程大学通信与信息系统专业博士，擅长机器学习、大数据检索、人工智能和模式识别等。
王社伟，河南工业大学副教授，西北工业大学航空宇航制造专业博士，挪威科技大学访问学者，对数字化制造、企业管理系统、机器学习、数据挖掘等有丰富的实战经验。
看完内容简介和作者简介，再看这本书的厚度，540页，80万字，绝对是干货满满！
