美国东部时间3月2日下午，英飞凌宣布收购氮化镓公司GaN Systems，交易总值8.3亿美元（约57.3亿人民币）。根据公告，英飞凌计划以全现金收购GaN Systems，资金将来自现有的流动资金。
对于这次收购，英飞凌首席执行官 Jochen Hanebeck 表示，“氮化镓技术正在为支持脱碳的更节能、更节能的二氧化碳解决方案铺平道路。在移动充电、数据中心电源、住宅太阳能逆变器和电动汽车车载充电器等应用中的采用正处于转折点，导致充满活力的市场增长。基于无与伦比的研发资源、应用理解和客户项目管道，计划收购 GaN Systems 将显着加快我们的氮化镓路线图。按照我们的战略，合并将通过掌握所有相关电源技术进一步加强英飞凌在电源系统领域的领导地位，成为它在硅、碳化硅或氮化镓上。”
GaN Systems 首席执行官 Jim Witham 表示：“GaN Systems 团队很高兴与英飞凌合作，在汇集互补优势的基础上创造高度差异化的客户产品。凭借我们在提供卓越解决方案方面的共同专业知识，我们将以最佳方式利用氮化镓的潜力。将 GaN Systems 的代工走廊与英飞凌的内部制造能力相结合，可以实现最大的增长能力，以服务于在广泛的目标市场中加速采用氮化镓。我为 GaN Systems 迄今为止取得的成就感到非常自豪，并且迫不及待地想与英飞凌一起谱写下一个篇章。作为一家拥有广泛技术能力的集成设备制造商，英飞凌使我们能够充分发挥潜力。”
GaN Systems的经营模式是Fabless，产品主要由台积电代工，并入英飞凌之后，相当于英飞凌的自主制造能力将与GaN Systems的代工渠道形成高效的优势互补，双方将更好地挖掘GaN在车载充电器、充电桩、光伏逆变器、数据中心电源等功率应用市场的潜力。
为了克服硅在转化速度、温度、电压和电流方面的限制，GaN Systems 开发了适用于各种市场的全套氮化镓功率转化器件。GaN Systems独有的专利技术IslandTechnology®使其比同类产品更小、更高效，且同时克服了成本、性能以及可制造性的挑战。
GaN systems的氮化镓结构如下图：
如上图所示，GaN systems的氮化镓器件，解决常开的 增加型氮化镓器件的方法，是在Gate与ALGaN之前，加入一个绝缘栅，使原本常开的横向型器件，变为了一个常闭的器件。这种有点类似MOSFET，加Gate极，引入一个绝缘层去控制 FET的开和关。所以，我们可以看到，这种结构的氮化镓也是电压型驱动的结构。cascode结构的电压型驱动的氮化镓，是通过控制一个小N MOS去控制氮化镓的开关，而P型栅，虽然也是常关的氮化镓器件，虽然也是需要给门极施加一定的电压，但是从本质上看，P型栅是属于电流型驱动的氮化镓。在这一点上，几种结构的氮化镓略微有些区别。
作为一种宽带隙材料，氮化镓通过更高的功率密度、更高的效率和更小的尺寸为客户提供价值，尤其是在更高的开关频率下。这些特性可实现节能和更小的外形尺寸，使氮化镓适合广泛的应用。到 2027 年，市场分析师预计用于功率应用的氮化镓收入将以 56% 的复合年增长率增长至约 20 亿美元。因此，氮化镓正在成为功率半导体的关键材料，与硅和碳化硅并驾齐驱，并与新的拓扑结构相结合，例如混合反激式和多级实现。
据了解，GaN Systems 成立于 2008 年，是一家无晶圆厂氮化镓半导体公司，公司总部位于加拿大渥太华，在英国、德国、日本和美国都设有办公室，拥有200多名员工。其是全球GaN主力军之一，尤其是在车用GaN领域，该公司属于先行者。早在2019年，GaN Systems 就与丰田及日本名古屋大学合作开发，“全GaN汽车”，首次成功将基于氮化镓器件的逆变器应用在电动汽车上，证明了氮化镓在汽车功率转换方面的可行性，也证明了氮化镓适合所有需要更高电压、频率、温度和效率的应用。
根据《2022氮化镓功率与射频产业调研白皮书》，GaN Systems在2021年的市场份额排全球第二。2021年9月13日，GaN Systems与宝马签订了产能协议，为宝马汽车提供高性能氮化镓功率晶体管，合作金额高达1亿美元（近6.9亿人民币）。
去年，其车规级GaN产品也应用到了瑞萨电子的48V/12V双向DC/DC转换器中。合作方面，GaN Systems已先后与EPowerlabs、ASE环旭电子、纬湃科技等达成合作，合作方向包括DC/DC转换器、车载电源模块、车载充电器及主逆变器。除此之外，GaN Systems的实力也在融资方面有所体现，比如，环旭电子及宏光半导体都曾参与投资。
而在第三代半导体领域，英飞凌此前重心偏向SiC，在SiC功率半导体市场已有丰富的客户积累，供应链布局也比较完善，但在氮化镓领域的动态不多，除了扩产项目涵盖氮化镓之外，近年来鲜少传出氮化镓业务相关的实质性进展。可以预见，收购GaN Systems后，英飞凌将快速扩大在氮化镓功率半导体应用领域的布局。从功率半导体层面看，基于英飞凌自身掌握的Si/SiC/GaN相关功率技术，并入GaN Systems将助力其进一步增强在功率系统领域的市场地位。
2022 年 2 月，英飞凌宣布投资超过 20 亿欧元在马来西亚居林新建一座前端工厂，以加倍扩大宽带隙，巩固其市场地位。其第一批晶圆将于2024年下半年离开晶圆厂，增加英飞凌在奥地利Villach的现有宽带隙制造能力。
英飞凌最后在公告中表示，这起收购交易还需遵守惯例成交条件，包括监管部门的批准。
来源：网络内容综合
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