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氮化镓 (GaN) 是一款宽带隙半导体，与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比，它可以实现更高的功率密度和效率。德州仪器 GaN 器件具有更快的开关速度，可帮助您实现超过 500kHz 的开关频率，从而将磁性元件尺寸缩减高达 60%、提升性能并降低系统成本。
在本期 TI 培训课程推荐中，我们为大家带来了基于 GaN 的高压与高功率电源设计优化系列视频。该课程将探讨如何有效利用 GaN，通过深入探讨拓扑选择、最佳工作频率、布局、热管理、控制等各个方面，最大限度地加速您的设计。
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课程目录
以下为基于 GaN 的高压与高功率电源设计优化课程的目录：
为什么要使用 GaN 进行大功率设计
使用 TI GaN 的汽车车载充电器 (OBC) 设计示例
电源构建的实际考虑
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