您是否正在为具有挑战性的应用设计高度创新的混合信号集成电路，且正在寻找经验丰富且可靠的开发和制造合作伙伴？艾迈斯欧司朗提供针对客户和应用的特殊标准产品的广泛组合，同时还为合作伙伴提供先进的模拟半导体制造支持。艾迈斯欧司朗的全方位代工服务，为汽车、医疗、工业和消费应用提供多种经过生产验证的行业标准工艺技术。
艾迈斯欧司朗通过广泛的专业工艺，展示自己在模拟和混合信号晶圆制造行业领域的领导地位。特殊工艺特性和经过优化的器件为高效产品设计和确保产品高性能提供支持。
艾迈斯欧司朗将经过模拟混合信号验证的工艺技术、高精度工艺表征和建模，以及艾迈斯欧司朗的先进代工服务相结合，能够满足客户各不相同的业务需求。
艾迈斯欧司朗全方位代工服务的核心技术包括0.18µm CMOS和BCD、0.35µm数字和混合信号CMOS、超低噪声CMOS、高压CMOS和SiGe-BICMOS工艺。由于所有基础工艺都与主要的半导体制造商兼容，因此可以轻松找到替代来源。
0.18µm CMOS / BCD:
180nm CMOS专业模拟、混合信号工艺已转至艾迈斯欧司朗位于奥地利的200mm晶圆厂。C18专业工艺适用于各种应用中的传感器和传感器接口器件，如可穿戴设备、医疗保健、家居自动化、智能汽车和工业4.0。
0.18µm CMOS工艺细节(C18)*
0.18µm BCD工艺细节(BCD18)*
0.35µm数字和混合信号CMOS：
艾迈斯欧司朗的0.35μm CMOS工艺系列完全兼容TSMC授权的0.35μm混合信号基础工艺。针对频率合成优化的高密度CMOS标准单元库、3层和4层路由可以确保实现最高门电路密度。外围单元库支持3.3V和5V电压，提供出色的驱动能力和ESD性能。可提供合格的数字宏块（SPRAM、DPRAM和漫射可编程ROM）。提供各种高性能模数和数模转换器，以便集成在同一ASIC中。
0.35µm CMOS工艺细节(C35)*
0.35µm光学CMOS工艺细节(C35O)*
针对CMOS工艺的其他工艺选项：
CMOS-LVT；嵌入式内存：NVM、RAM、ROM、OTP
艾迈斯欧司朗的高性能模拟低噪声CMOS工艺(“A30”)提供出色的噪声性能，通过采用艾迈斯欧司朗先进的0.35µm高压CMOS工艺系列，光学面积缩小0.9。
0.30µm高性能模拟超低噪声CMOS工艺：
A30高性能模拟超低噪声CMOS工艺以艾迈斯欧司朗先进的0.35μm工艺系列为基础。先进的A30工艺采用艾迈斯欧司朗的200mm制造设施制造，确保非常低的缺陷密度和高成品率。它提供3-4个金属层和一套经过超低噪音应用和高性能模拟应用优化的有源器件。
A30工艺还包括一套无源器件，例如：高电阻聚乙烯和高精度多晶硅电阻、PIP电容以及经过改进的MOS变容器和更高的模拟性能。与0.35µ CMOS工艺相比，在掩膜车间进行的光学面积缩小可额外节省20%的面积。
0.30µm高性能模拟低噪声CMOS工艺(A30)*
艾迈斯欧司朗的高压工艺平台支持0.35µm工艺，针对复杂的混合信号电路（工作条件高达120V）进行优化。
除了标准的CMOS晶体管外，还有多种高压晶体管可供选择：高压NMOS、高压PMOS、高压DMOS晶体管、N结FETS、隔离式NPN双极型晶体管，以及隔离式低压NMOS晶体管。
高压和标准器件易于集成到同一芯片中。低功耗和快速的开关速度在汽车和工业市场中得到广泛应用。计划进一步应用于传感器的高精密模拟前端。
新工艺系列与艾迈斯欧司朗经过验证的混合信号库结合之后，成为高压设计的理想解决方案。
0.35µm高压CMOS：
艾迈斯欧司朗的“H35”工艺针对复杂的混合信号电路（工作条件高达120V）进行了优化。
0.35µm高压CMOS(H35)*
SiGe BiCMOS process
艾迈斯欧司朗的SiGe-BiCMOS工艺旨在支持具有高性能、低工艺复杂性的先进RF设计。
具有低噪声系数的高速SiGe HBT晶体管使得设计的工作频率最高可以达到7GHz，相比采用传统的CMOS RF工艺的设计，其电流消耗大幅降低。
这些先进工艺创造出具有高模拟性能（例如高Fmax和低噪声(NF)）的高速双极型晶体管、互补型MOS晶体管，极低的寄生线性电容、线性电阻和螺旋电感。针对所有有源、无源和寄生器件进行表征和建模，由此获得不同电路模拟器的模拟模型，以便能够充分利用这些工艺。
艾迈斯欧司朗利用0.35µm嵌入式闪存技术，为汽车、工业和消费电子应用（例如RFID、智能卡、传感器接口、微控制器应用、调整应用等）中的SoC（系统级芯片）解决方案提供可靠的嵌入式非易失性存储器工艺。
具有竞争力的高性能工艺技术
艾迈斯欧司朗为客户提供非常有竞争力的高性能工艺技术。这种非常可靠的嵌入式EEPROM/闪存块使用经过验证的基于PMOS的NVM技术，在扩展温度范围内提供低功耗操作和高数据保持性。
该存储块可以作为附加工艺模块用于0.35µm CMOS和高压CMOS工艺中，也可以配置为EEPROM块或闪存，无需更改工艺。
0.35µm嵌入式EEPROM CMOS工艺(C35EE)*
0.35µm嵌入式EEPROM高压CMOS工艺(H35EE)*
嵌入式闪存关键特性
嵌入式闪存技术基于0.35µm CMOS工艺和0.35µm高压CMOS工艺，提供以下特性：
极高的可靠性（在125°C下数据可保持超过20年，耐久性100k写/读周期）
耐受高达170°C高温（适用于汽车应用）
低功耗
完全可定制的闪存或EEPROM块
EEPROM存储块可以和静态RAM一样访问
采用0.35µm CMOS基础工艺C35完全模块化，支持重复使用数字库和IP区块
延伸阅读：
《半导体光子集成电路（PIC）技术及市场-2022版》
