来源：科技新报
韩国《The Elec》获悉，由于 High-K 材料的质量发生问题，韩国半导体大厂 SK 海力士（SK Hynix）的 DRAM 生产流程于本月传出卡关状况。
《The Elec》2月20日报导，据知情人士透露，原因是材料供应商SK Trichem提供含铪（Zirconium）的High-K材料掺有杂质，导致SK海力士DRAM工厂的部分设备一度暂停运作。
SK海力士表示，已立即清洁工厂产线，因此产量没有受到影响。不过，该公司正在调查这起事件，并要求SK Trichem赔偿因设备停摆及更换零件所造成的损失。
此外，SK海力士将暂停向SK Trichem采购材料，直到问题完全解决为止。在此之前，UP Chemical和M Chemical将做为SK海力士High-K材料的替代供应商。
SK Trichem回应称，预计在本月底前完成质量改善，向SK海力士恢复正常供货。
SK Trichem指出，这起事件的主因是High-K材料的纯度不足，导致部分设备承受的压力增加，进而被迫暂停运作。
High-K材料是制造半导体用的高纯度前驱物，以原子级的厚度沉积在DRAM电容上。电容是DRAM的重要组成部分，可以决定DRAM的效能，因此High-K材料的质量至关重要。
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