2月15日，捷捷微电在投资者互动平台上表示，公司超结MOS已量产，主要应用于高压应用领域，有充电器电源、工业电源、充电桩、车载OBC、光伏储能等。
近期，捷捷微电还披露其车规级SGT MOSFETS量产、晶闸管应用、三代半研发等新进展，具体如下：
1、目前公司推出的车规级SGT MOSFETs产品，部分产品已在新能源车上实现车用，客户和市场的开拓及导入情况良好。
2、公司生产的晶闸管能用于特高压的柔性直流技术。
3、公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关实用新型专利5件，此外，公司还有6个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中。
另据了解，捷捷微电8寸产线“高端功率半导体器件产业化项目”（一期）基础设施及配套等建设已完成，二期设备也在逐步投入中。
目前一期进度符合预期，试生产的产品良率也在预期内。捷捷微电认为，该项目将有助于推动高端功率半导体发展，满足下游市场需求，扩大市场占有率，缓解MOSFET产能紧张的问题等，将进一步提升公司市场竞争力、综合实力与治理能力，完善公司战略布局。
