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本文以常见的4M Flash W25Q32为例。
1、Flash存储容量
容量可以从芯片的名称上看出来，虽然不同厂家的命名方式不一样，但是大体类似，比如W25Q80, W25Q16, W25Q32等。
封装类型有SOIC-8、WSON-8等。注意不一定封装越小越贵，要看哪一款用量大，用量大产量就大，产量大价格相对就便宜。元器件选型时要注意。
管脚序号 （SOIC-8为例） | 定义 | |
| 1 | /CS | 选通信号 |
| 2 | DO(IO1) | 数据输出或者IO1 |
| 3 | /WP(IO2) | 写保护或者IO2 |
| 4 | GND | 地 |
| 5 | DI(IO0) | 输入输入（IO0） |
| 6 | CLK | 时钟 |
| 7 | /HOLD(IO3) | 保持或者IO3 |
| 8 | VCC | 电源 |
3、通讯方式
标准SPI比较常见，Dual SPI和Quad SPI用得不多，他们通讯数据线多一些，速度更快。有些单片机没有内部Flash或者内部Flash较少，但是带有QSPI Flash接口，可以使用Quad SPI和Flash通讯，当然这种外部Flash运行程序速率肯定要打折扣的，这是题外话了。
4、关于写保护
为了保证数据的完整，有以下几种写保护措施，防止软件误操作和电源不稳造成的数据错误。
1、电源低于下限值，自动写保护。
2、上电后写保护，直到Delay-Time时间到。
3、通过指令的方式进行写保护。
4、通过状态寄存器进行写保护。
5、硬件管脚/WP写保护。
说实话，写保护方法挺多，用的不多，看自己需求吧。
4、状态寄存器介绍
状态寄存器1
状态寄存器2
BUSY：只读位，可以简单理解为芯片自己在干活，比较忙，忙完了自动清除。
WEL：只读位，写使能指令后置1，写禁用后清零。
BP2, BP1, BP0：写保护相关位，是个非易失位，可读可写，用于写保护控制，保护原理下面介绍。
TB：非易失位，写保护相关位，保护底部还是顶部。
SEC：非易失位，保护扇区还是块。
SRP1、SRP0：也是个非易失位，可读可写，和/WP管脚不同组合确定保护方式。
QE：Quad使能位，启用4个数据线通讯方式，也是个非易失位。
注意：状态寄存器里有些位是非易失特性，大部分SPI Flash会出现越擦越慢的情况，这些位肯定是存储在Flash里，也会出现越擦越慢的情况，改写的越多，再次改写时间越长，这一点要留意。
写保护：
举个例子：如上图蓝色区域
例1：SEC=0保护块，TB=0保护顶端，保护60-63这4个块共256K，占用了Flash 1/16的空间。
例子2：SEC=1保护扇区，TB=0保护顶端，保护63块顶端8K。
5、指令：
指令就不一一解读了，手册中有详细的时序图，举几个常用指令。
读指令：03H，时序图如下
先发读指令码03H，然后24位地址，之后SPI返回数据。
写指令：02H，时序图如下
先发写指令码02H，然后24位地址，之后要写入的数据，写操作时注意地址回绕问题。
扇区擦除指令：20H，时序图如下
先发写指令码20H，然后24位地址，等待擦除完成即可。
扩展阅读：一直蒙圈的SPI四种模式
